Искать
Отображаемые элементы 1-10 из 14
Основи радіоелектроніки
(ВНТУ, 2010)
Практикум поєднує виконання практичних завдань і лаборато-
рних досліджень цифрових пристроїв (ЦП) на сучасних програмова-
них ІС (ПЛІС). Одночасно з вивченням ЦП на ПЛІС і традиційній
елементній базі передбачено ...
Спосіб вимірювання активної складової комплексного опору
(ВНТУ, 2004)
Для знаходження активної складової комплексного опору досить мати значення інваріантного коефіцієнта стійкості чотириполючника при трьох значеннях.
Нові методи вимірювання параметрів багатоелектродних негатронів
(Одесский национальный политехнический университет, 2003-05)
Розглядаються методи вимірювання параметрів багатоелектродних негатронів
Ємнісний активний елемент на польовій транзисторній структурі з від’ємним опором
(ВНТУ, 2011)
Представлено результати дослідження ємнісного активного елемента на польовій
транзисторній структурі з від’ємним опором. Отримано аналітичні залежності повного опору від
напруг живлення та керування. Досліджено вольт-амперну, ...
Перетворювачі оптичної потужності на основі польових фототранзисторів з двостороннім освітленням каналу
(ВНТУ, 2009)
Показано можливість перетворення оптичної потужності на основі автогенераторного пристрою, який складається з транзисторних структур з від’ємним опором, і в якому фоточутливим елементом є МДН-транзистор з двостороннім ...
Мікроелектронний частотний перетворювач густини оптичної потужності з активним індуктивним елементом
(ВНТУ, 2010)
Показана можливість перетворення густини оптичної потужності на основі автогенераторного пристрою, який складається з транзисторних структур з від’ємним опором, і в якому фоточутливим елементом є фотодіод. Отримані аналітичні ...
Мікроелектронний оптичний перетворювач для вимірювання рівня рідини
(ВНТУ, 2010)
Показано можливість перетворення оптичної потужності на основі автогенераторного пристрою, який складається з транзисторних структур з від’ємним опором, і в якому фоточутливим елементом є фотодіод. Отримані аналітичні ...
Методи і засоби вимірювання параметрів безструктурних моделей багатоелектродних напівпровідникових структур
(Житомирський інженерно-технологічний інститут, 2002)
Розглядаються методи вимірювання параметрів безструктурних моделей багатоелектродних напівпровідникових структур.
Спосіб вимірювання максимально-досяжного коефіцієнта підсилення чотириполюсника на границі стійкості
(Хмельницький національний університет, 2001)
В статті запропоновано спосіб вимірювання максимально-досяжного коефіцієнта підсилення чотириполюсника на границі стійкості.
Аналіз методів вимірювання робочих параметрів узагальнених перетворювачів імітансу
(Вінницький державний технічний університет, 2003)
Проведено аналіз методів вимірювання робочих параметрів узагальнених перетворювачів імітанса.