Искать
Отображаемые элементы 1-10 из 43
Исследование входного сопротивления транзисторного усилителя с эмитерным входом на частотах, близких к граничной
(Москва, 1973)
Важньїм злементом многих радиотехнических схем являегся индуктивность. Ее функцию при ОІіре-деленньїх условиях могут вьіполнять различнне полупро-
водниковьіе приборьі и схемьі [1— 5], в частности усилитель на транзисторе ...
Автогенераторні сенсори на L- та С-негатронах
(Національний технічний університет України
«Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», 2015)
Розроблені та досліджені схеми частотних сенсорів на L- та С-негатронах, Показано, що наявність від’ємної ємності та індуктивності призводить до підвищення чутливості сенсорів в 3-5 разів, а наявність від’ємного активного ...
Исследование максимально-достижимого коэффициента усиления четырехполюсников на базе двухзатворного полевого транзистора Шоттки
(Хмельницький державний університет, 2004)
Анализируются возможные схемы включения четырехполюсника двозатворного полевого транзистора Шоттки.
Анализ погрешностей радиочастотных измерений рабочих параметров потенциально-неустойчивых четырехполюсников
(Сумгаитский государственный университет;
Национальная академия авиации, 2003-12)
Погрешность нового метода, рассмотреная для одного частного случая, составляет 30%, что указывает на возможность использования его для осуществления качественной оценки.
Модернизированный метод "плавающей нагрузки" определения иммитансных параметров линейных четырехполюсников
(Технологічний університет Поділля, 2003)
В статье предложено модифицированный метод измерения иммитансных параметров четырехполюсников.
Измерение инвариантного коэффициента устойчивости четырехполюсника
(Хмельницький національний університет, 2003)
В статье рассмотрены методы измерения инвариантного коэффициента устойчивости четырехполюсника.
Нові методи вимірювання параметрів багатоелектродних негатронів
(Одесский национальный политехнический университет, 2003-05)
Розглядаються методи вимірювання параметрів багатоелектродних негатронів
Дослідження схемотехнічних реалізацій с-негатронів на конверторах від'ємного опору
(ВНТУ, 2011)
У роботі розглянуто чотири основні схеми С-негатронів на конверторах від’ємного опору на
операційних підсилювачах (ОП). Показано, що під час використання позитивного зворотного зв’язку
за напругою реалізується активний ...
Оцінка методичних похибок вимірювання S-параметрів чотириполюсника
(ВНТУ, 2005)
Запропоновано новий спосіб вимірювання нестандартної системи S-параметрів чотириполюсника, наведено результати експериментальної перевірки запропонованого способу та результати оцінки методичних похибок вимірювання кожного ...
Спосіб вимірювання S-параметрів чотириполюсника
(ВНТУ, 2005)
Запропоновано новий спосіб вимірювання нестандартної системи S-параметрів чотириполюсника, що має меншу трудомісткість в порівнянні з класичними методами та може використовуватись в усьому діапазоні НВЧ. Наведено результати ...