Искать
Отображаемые элементы 11-20 из 43
Аналіз імпедансних властивостей комбінованого світлоприймального оптонегатрона
(ВНТУ, 2005)
Запропоновано математичну модель комбінованого оптонегатрона на біполярному фототранзисторі, проведено дослідження впливу інтенсивності оптичного випромінювання на основні імпедансні характеристики комбінованих транзисторних ...
Ємнісний негасенсор з частотним виходом
(ВНТУ, 2013)
Досліджено схему ємнісного негасенсора з частотним виходом на RC-автогенераторі. Показано, що наявність від’ємної ємності С-негатрона приводить до підвищення чутливості сенсора в 2...5 разів, а наявність від’ємного активного ...
Дослідження схемотехнічних реалізацій С-негатронів на конверторах від'ємного опору
(ВНТУ, 2011)
У роботі розглянуто чотири основні схеми С-негатронів на конверторах від’ємного опору на операційних підсилювачах (ОП). Показано, що під час використання позитивного зворотного зв’язку за напругою реалізується активний ...
Оптоелектронний нейронний елемент на C-негатроні
(ВНТУ, 2008)
В роботі запропонований нейронний логічний елемент - оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні. Даний нейрон може виконувати логічні функції «І», «АБО», «НІ» булевої логіки, працювати як RS-тригер, елемент пам’яті, ...
Аналіз сучасних досягнень створення інформаційних пристроїв на основі одноперехідних транзисторних структур
(ВНТУ, 2012-11-13)
Проведено аналіз сучасних досягнень створення інформаційних пристроїв на основі одноперехідних транзисторних структур, визначено їхні переваги та недоліки. Вироблено рекомендації щодо покращення інформаційних пристроїв.
До 20-річчя наукового напряму «Негатроніка»
(ВНТУ, 2005)
Статтю присвячено 20-річчю наукового напряму в області електроніки — "Негатроніці". Загальну теорію негатроніки формалізовано завдяки введенню понятть: негативні опори, ємності й індуктивності, визначенню причинно-наслідкових ...
Спосіб вимірювання активної складової комплексного опору
(ВНТУ, 2004)
Становить інтерес спосіб вимірювання активної складової комплексного опору, похибка якого не залежала б від його реактивної складової. В основу способу покладена залежність інваріантного коефіцієнта стійкості невзаємного ...
Методи і засоби вимірювання параметрів безструктурних моделей багатоелектродних напівпровідникових структур
(Житомирський інженерно-технологічний інститут, 2002)
Розглядаються методи вимірювання параметрів безструктурних моделей багатоелектродних напівпровідникових структур.
Спосіб вимірювання максимально-досяжного коефіцієнта підсилення чотириполюсника на границі стійкості
(Хмельницький національний університет, 2001)
В статті запропоновано спосіб вимірювання максимально-досяжного коефіцієнта підсилення чотириполюсника на границі стійкості.
Аналіз методів вимірювання робочих параметрів узагальнених перетворювачів імітансу
(Вінницький державний технічний університет, 2003)
Проведено аналіз методів вимірювання робочих параметрів узагальнених перетворювачів імітанса.