Искать
Отображаемые элементы 11-20 из 21
Контроль виробів електронної техніки з використанням вейвлет перетворень
(Севастопольський національний технічний університет, 2011)
Іn this work offered approach with the use of wavelet transformations for the operations of entrance and initial control of wares of electronic technique.
Шумова модель інтегральних діодів для діапазону низьких частот
(ВНТУ, 2011)
В даній роботі запропоновано еквівалентну шумову модель інтегрального діода
Визначення низькочастотних шумових характеристик багатоемітерних транзисторів
(ВНТУ, 2006)
В даній роботі запропоновано шумову модель багатоемітерного транзистора для операцій технологічного контролю за рівнем НЧ шуму
Використання цифрової фільтрації при прогнозуванні надійності виробів електронної техніки
(Севастопольский национальный технический университет, 2009)
A new device is offered for prognostication of wares of electronic technique. It utillizes the algorithm of digital filtration.
Вдосконалення шумової математичної моделі операційного підсилювача
(Севастопольский национальный технический университет, 2008)
The new noise mathematical models of operating strengthener are resulted for prognostication of reliability
Вплив паразитної ємності польових транзисторів на рівень власних шумів
(Севастопольський національний технічний університет, 2013)
В роботі розглянуто вплив паразитної ємності польових МОН-транзисторів на рівень їх власних шу-мових характеристик, для операцій вхідного та вихідного контролю.
Оптимізація методу оцінки якості виробів електронної техніки за шумовими характеристиками для одноелектронного транзистора
(ВНТУ, 2006)
У роботі запропоновано оптимальне використання методу оцінки якості виробів електронної техніки за низькочастотними шумовими характеристиками для одноелектронного транзистора. А також запропонована математична шумова модель.
Оцінка якості інтегральних транзисторів за допомогою низькочастотних шумів
(Хмельницький національний університет, 2005-06)
В роботі проведено аналіз виразу для шумової моделі транзистора який показує, що найбільший рівень шумів має місце в інверсному режимі інтегрального транзистора. Для активного режиму паразитний опір вносить тільки тепловий ...
Шумова модель польових транзисторів для прогнозування їх надійності за рівнем низькочастотного шуму
(ВНТУ, 2009)
У статті проаналізовано внутрішні шуми польових транзисторів, а також запропоновано шумову модель із врахуванням елементів схеми вмикання. Проведено дослідження залежності шумової напруги польового транзистора від режиму ...
Неруйнівний контроль виробів електронної техніки за рівнем низькочастотного шуму: монографія
(ВНТУ, 2014)
В монографії розглядаються питання неруйнівного вхідного та вихідного контролю виробів електронної техніки за рівнем власних низькочастотних шумів. Запропоновано нові шумові моделі біполярних та польових, а також інтегральних ...