Искать
Отображаемые элементы 21-30 из 43
Методи і засоби вимірювання параметрів потенційно-нестійких чотириполюсників
(Технологічний університет Поділля, 2002)
В статті розроблено методи і засоби вимірювання параметрів потенційно-нестійких чотириполюсників.
Вимірювання мінімально-досяжного дійсного імітансу потенційно-нестійкого чотириполюсника
(Вінницький державний технічний університет, 2003)
Мінімально-досяжний дійсний імітанс потенційно-нестійкого чотириполюсника характеризує його потенційні можливості в процесі синтезу від'ємних опорів та провідностей.
Вимірювання модуля коефіцієнта відбиття потенційно-нестійкого багатополюсника
(Вінницький державний технічний університет, 2003)
Розроблено метод вимірювання модуля коефіцієнта відбиття потенційно-нестійкого багатополюсника
Аналіз «якості» однокристальних конверторів імітансу
(ВНТУ, 2010)
У статті розроблено математичні моделі УПІ, що враховують залежності їх перетворених імітансів від фізичних параметрів транзисторів, а також проведено дослідження залежностей якості STk αi від фізичних параметрів вищеозначених ...
Оптоелектронний генераторний сенсор на базі двохпараметричного УПІ
(ВНТУ, 2010)
В статті розглянуто шлях подолання складностей при проектуванні генераторних сенсорів з допомогою використання розробленої методики функціонального синтезу сенсорів на базі таблиць перетворення імітансу. Наведено математичну ...
Порівняльна оцінка похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу
(ВНТУ, 2010)
Розроблено теорію оцінки похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу, проведено порівняльне оцінювання похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу на основі одноперехідного, біполярного та ...
Визначення параметрів фізичної моделі двозатворного польового транзистора Шоткі
(ВНТУ, 2004)
Обґрунтовано спосіб визначення параметрів еквівалентної схеми активної області кристала однозатворного польового транзистора Шотки (ПТШ1), що базується на результатах вимірювання коефіцієнта максимально стійкого підсилення ...
Експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора
(ВНТУ, 2008)
Запропоновано експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора. Перевагою способу є ослаблений вплив на результати вимірювань індуктивностей виводів та міжелектродних ємностей, та гарантована ...
Аналіз сучасних досягнень в галузі побудови радіочастотних сенсорів
(ВНТУ, 2014-08-01)
У роботі проведений аналіз сучасних досягнень в галузі побудови сенсорів на основі RFID-технології, також визначено найбільш перспективні технічні рішення. Визначено основні параметри такого роду сенсорів та проведено їх ...
Трёхпараметрический генераторный датчик
(Одесский национальный политехнический университет, 2014)
У роботі розглядається можливість побудови трипараметричного радіочастотного датчика. Розроблено математичну модель датчика, яка описує взаємозв'язок параметрів датчика з параметрами первинних вимірювальних перетворювачів. ...