Искать
Отображаемые элементы 1-6 из 6
Метод контролю кутових положень на основі автогенераторних пристроїв із магніточутливими транзисторам
(Одесса: КУПРИЕНКО С.В., 2018)
В роботі запропоновано метод контролю кутових положень на основі автогенераторних пристроїв із магніточутливими транзисторами, який відрізняється від існуючих безконтактним перетворенням кутового положення в синусний та ...
Радиоизмерительные частотные параметрические преобразователи давления с тензочувствительными биполярными и полевыми транзисторами
(Иваново: Научный мир, 2019)
Розроблено математичні моделі радіовимірювальних частотних параметричних перетворювачів тиску на основі транзисторних структур з від`ємним диференційним опором з чутливими біполярними транзисторами, двоколекторними біполярними ...
Дослідження сенсора температури з частотним виходом на основі квантової гетероструктури з від'ємним диференційним опором
(Хмельницький національний університет, 2021)
Розгляд фізичних процесів у квантовій двобар`єрній гетероструктурі, яка є основою розбудови тунельно-резонансних діодів показав, що тунельно-резонансні діоди можна використовувати як сенсори температури з частотним вихідним ...
Дослідження генератора електричних коливань на основі тунельно-резонансного діода
(Таврійський національний університет імені В. І. Вернадського, 2020)
На основі повної еквівалентної схеми тунельно-резонансного діода, яка враховує його ємнісні та індуктивні властивості, складено диференційне рівняння другого порядку, що описує фізичні процеси
в коливальній системі ...
Дослідження реактивних властивостей тунельно-резонансного діода
(Хмельницький Національний університет, 2020)
На основі розгляду фізичних процесів у тунельно-резонансному діоді визначено аналітичні формули ємності та індуктивності, які залежать як від технологічних параметрів, так і від режиму роботи. Показано, що ємність діода ...
Тензореактивний ефект у польових транзисторах
(Вісник Хмельницького національного університету, 2020)
В статті представлено розробку та дослідження елементів теорії тензореактивного ефекту в польових тензочутливих транзисторах. Розроблено математичні моделі тензореактивного ефекту, які
відрізняються від існуючих тим, що ...