Просмотр Періодичні видання ВНТУ по DOI "https://doi.org/10.31649/1681-7893-2019-38-2-107-112" - Репозитарий Винницкого Национального Технического Университета

Отображаемые элементы 1-1 из 1

Математическое моделирование физического механизма образования объёмного приповерхностного заряда в полупроводниках для интеллектуальных частотных сенсоров концентрации газа

Осадчук, А. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. А.; Osadchuk, O. V.; Osadchuk, V. S.; Osadchuk, Y. A. (ВНТУ, 2019)

В работе рассмотрена математическая модель физического механизма возникновения объемного приповерхностного заряда в полупроводниках в первичных газочувствительных полупроводниковых сенсорах, описывающая зависимость ...