Искать
Отображаемые элементы 1-10 из 28
Оцінка робочих параметрів однотранзисторних конвеєрів струму
(ВНТУ, 2015)
В статті обґрунтовано систему основних робочих параметрів струмових конвеєрів. Визначено аналітичні залежності між робочими і формальними параметрами конвеєра струму, що дозволяє за значеннями чотирьох Y-параметрів транзистора ...
Аналіз «якості» однокристальних конверторів імітансу
(ВНТУ, 2010)
У статті розроблено математичні моделі УПІ, що враховують залежності їх перетворених імітансів від фізичних параметрів транзисторів, а також проведено дослідження залежностей якості STk αi від фізичних параметрів вищеозначених ...
Оптоелектронний генераторний сенсор на базі двохпараметричного УПІ
(ВНТУ, 2010)
В статті розглянуто шлях подолання складностей при проектуванні генераторних сенсорів з допомогою використання розробленої методики функціонального синтезу сенсорів на базі таблиць перетворення імітансу. Наведено математичну ...
Математична модель n-каскадного з'єднання багатопараметричних n-упі
(ВНТУ, 2011)
Розроблена математична модель N-каскадного з‘єднання багатопараметричних УПІN, яка дозволяє оцінити залежність перетвореного імітансу, коефіцієнтів перетворення, чутливості коефіцієнтів перетворення, запасу стійкості і ...
Порівняльна оцінка похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу
(ВНТУ, 2010)
Розроблено теорію оцінки похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу, проведено порівняльне оцінювання похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу на основі одноперехідного, біполярного та ...
Визначення параметрів фізичної моделі двозатворного польового транзистора Шоткі
(ВНТУ, 2004)
Обґрунтовано спосіб визначення параметрів еквівалентної схеми активної області кристала однозатворного польового транзистора Шотки (ПТШ1), що базується на результатах вимірювання коефіцієнта максимально стійкого підсилення ...
Дослідження узагальненого перетворювача імітансу (упі) на базі одноперехідного транзистора від параметрів його фізичної еквівалентної схеми
(ВНТУ, 2010)
У статті розроблено математичну модель УПІ на базі ОТ, що враховує залежність його перетвореного імітансу від фізичних параметрів ОТ, а також проведено дослідження залежностей перетвореного імітансу Wвх (Wвих) від фізичних ...
Визначення, класифікація і параметри багатопараметричних узагальнених перетворювачів іммітансу
(ВНТУ, 2010)
Наведено визначення багатопараметричного УПІN та розроблено його класифікацію, визначено систему основних параметрів багатопараметричних УПІN.
Експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора
(ВНТУ, 2008)
Запропоновано експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора. Перевагою способу є ослаблений вплив на результати вимірювань індуктивностей виводів та міжелектродних ємностей, та гарантована ...
Активні НВЧ фільтри на базі двозатворних транзисторів шотткі
(ВНТУ, 2006)
Пропонується новий спосіб реалізації напівпровідникової котушки індуктивності на двозатворному польовому транзисторі Шотткі та синтезовано на її основі схеми активних НВЧ фільтрів. Також наводяться результати математичного ...