Искать
Отображаемые элементы 1-10 из 28
Ємнісний негасенсор з частотним виходом
(ВНТУ, 2013-08-22)
Досліджено схему ємнісного негасенсора з частотним виходом на RC-автогенераторі. Показано, що наявність від’ємної ємності С-негатрона приводить до підвищення чутливості сенсора в 2...5 разів, а наявність від’ємного активного ...
Дослідження схемотехнічних реалізацій с-негатронів на конверторах від'ємного опору
(ВНТУ, 2011)
У роботі розглянуто чотири основні схеми С-негатронів на конверторах від’ємного опору на
операційних підсилювачах (ОП). Показано, що під час використання позитивного зворотного зв’язку
за напругою реалізується активний ...
Оцінка методичних похибок вимірювання S-параметрів чотириполюсника
(ВНТУ, 2005)
Запропоновано новий спосіб вимірювання нестандартної системи S-параметрів чотириполюсника, наведено результати експериментальної перевірки запропонованого способу та результати оцінки методичних похибок вимірювання кожного ...
Спосіб вимірювання S-параметрів чотириполюсника
(ВНТУ, 2005)
Запропоновано новий спосіб вимірювання нестандартної системи S-параметрів чотириполюсника, що має меншу трудомісткість в порівнянні з класичними методами та може використовуватись в усьому діапазоні НВЧ. Наведено результати ...
Аналіз імпедансних властивостей комбінованого світлоприймального оптонегатрона
(ВНТУ, 2005)
Запропоновано математичну модель комбінованого оптонегатрона на біполярному фототранзисторі, проведено дослідження впливу інтенсивності оптичного випромінювання на основні імпедансні характеристики комбінованих транзисторних ...
Оптоелектронний нейронний елемент на C-негатроні
(ВНТУ, 2008)
В роботі запропонований нейронний логічний елемент - оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні. Даний нейрон може виконувати логічні функції «І», «АБО», «НІ» булевої логіки, працювати як RS-тригер, елемент пам’яті, ...
Аналіз сучасних досягнень створення інформаційних пристроїв на основі одноперехідних транзисторних структур
(ВНТУ, 2012-11-13)
Проведено аналіз сучасних досягнень створення інформаційних пристроїв на основі одноперехідних транзисторних структур, визначено їхні переваги та недоліки. Вироблено рекомендації щодо покращення інформаційних пристроїв.
До 20-річчя наукового напряму «Негатроніка»
(ВНТУ, 2005)
Статтю присвячено 20-річчю наукового напряму в області електроніки — "Негатроніці". Загальну теорію негатроніки формалізовано завдяки введенню понятть: негативні опори, ємності й індуктивності, визначенню причинно-наслідкових ...
Спосіб вимірювання активної складової комплексного опору
(ВНТУ, 2004)
Становить інтерес спосіб вимірювання активної складової комплексного опору, похибка якого не залежала б від його реактивної складової. В основу способу покладена залежність інваріантного коефіцієнта стійкості невзаємного ...
Оцінка робочих параметрів однотранзисторних конвеєрів струму
(ВНТУ, 2015)
В статті обґрунтовано систему основних робочих параметрів струмових конвеєрів. Визначено аналітичні залежності між робочими і формальними параметрами конвеєра струму, що дозволяє за значеннями чотирьох Y-параметрів транзистора ...