Просмотр Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології по издательствам, что имеет "Оптоелектронні інформаційно-енеретичні технології. № 2 : 107-112."
Отображаемые элементы 1-1 из 1
-
Математическое моделирование физического механизма образования объёмного приповерхностного заряда в полупроводниках для интеллектуальных частотных сенсоров концентрации газа
(ВНТУ, 2019)В работе рассмотрена математическая модель физического механизма возникновения объемного приповерхностного заряда в полупроводниках в первичных газочувствительных полупроводниковых сенсорах, описывающая зависимость ...