<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Temperature converter based on IGBT-BJT structure with negative resistance

Вантажиться...
Ескіз

Дата

Науковий керівник

Редактор

Інші учасники

Відповідальний

ORCID

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

DOI

Альтернативна назва

Анотація

The paper analyses modern development status of temperature converter on the basis of piroelectrics, represents and describes a new temperature converter on the basis of transistor structure with negative resistance, simulates current-voltage and frequency characteristic of this device in the software environment Pspice.

Опис

УДК

Тип документа

Мова

ISSN

Посилання на публікацію

Серія, номер

ISBN

978-966-641-705-6

ББК

Інші ідентифікатори

Пов’язані матеріали

Спонсорська підтримка

Правовласник

Бібліографічний опис

Osadchuk O. V. Temperature converter based on IGBT-BJT structure with negative resistance [Text] / O. V. Osadchuk, S. V. Baraban, B. V. Basich // Матеріали VI міжнародної науково-технічної конференції "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2017)", м. Вінниця, 28-30 вересня 2017 р. - Вінниця, ВНТУ, 2017. - С. 147-148.

Схвалення

Рецензія

Доповнено

Цитується в