Перегляд НТКП ВНТУ. Факультет інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (2018) за темою "chemical composition"
Відображеня елементи 1-1 із 1
-
Застосування халькогенідних сплавів системи Ge2 Sb2 Te5 для побудови елементів цифрової пам’яті на основі фазових переходів
(ВНТУ, 2018)Створення цифрової енергонезалежної пам’яті (PCM – Phase Change Memory), що працює на базі елементів із халькогенідного скла, яке використовує принцип зворотного фазового переходу «аморфний-кристалічний» стан, є пріоритетним ...