Искать
Отображаемые элементы 1-6 из 6
Дослідження схемотехнічних реалізацій с-негатронів на конверторах від'ємного опору
(ВНТУ, 2011)
У роботі розглянуто чотири основні схеми С-негатронів на конверторах від’ємного опору на
операційних підсилювачах (ОП). Показано, що під час використання позитивного зворотного зв’язку
за напругою реалізується активний ...
Аналіз сучасних досягнень створення інформаційних пристроїв на основі одноперехідних транзисторних структур
(ВНТУ, 2012-11-13)
Проведено аналіз сучасних досягнень створення інформаційних пристроїв на основі одноперехідних транзисторних структур, визначено їхні переваги та недоліки. Вироблено рекомендації щодо покращення інформаційних пристроїв.
Оцінка робочих параметрів однотранзисторних конвеєрів струму
(ВНТУ, 2015)
В статті обґрунтовано систему основних робочих параметрів струмових конвеєрів. Визначено аналітичні залежності між робочими і формальними параметрами конвеєра струму, що дозволяє за значеннями чотирьох Y-параметрів транзистора ...
Аналіз «якості» однокристальних конверторів імітансу
(ВНТУ, 2010)
У статті розроблено математичні моделі УПІ, що враховують залежності їх перетворених імітансів від фізичних параметрів транзисторів, а також проведено дослідження залежностей якості STk αi від фізичних параметрів вищеозначених ...
Індуктивний негасенсор мостового типу на l-негатроні
(ВНТУ, 2011)
Розглядається індуктивний негасенсор мостового типу на L-негатроні, в якому підвищено коефіцієнт перетворення та відносну чутливість за рахунок введення в схему індуктивного сенсора-прототипу схемотехнічного аналога ...
Методика синтезу таблиць перетворення імітансу багатопараметричних УПІn
(ВНТУ, 2011)
У статті запропоновано методику синтезу таблиць перетворення імітансу
багатопараметричних УПІN. Питання синтезу проаналізовано в літературі лише частково, що
вказує на важливість подальшої розробки методики синтезу таблиць ...