Искать

Отображаемые элементы 1-10 из 12

Мікроелектронний перетворювач витрат газу на основі двох біполярних транзисторів з активним індуктивним індуктивним елементом

Осадчук, В. С.; Осадчук, О. В.; Яремішена, Н. А. (ВНТУ, 2015)

Запропоновано схему мікроелектронного перетворювача витрат газу на основі двох біполярних транзисторів з активним індуктивним елементом, що реалізує автогенераторний пристрій, у якому реалізується перетворення витрат газу ...

Мікроелектронний частотний перетворювач вологості

Осадчук, В. С.; Осадчук, О. В.; Звягін, О. С. (ВНТУ, 2011)

Показано можливість створення мікроелектронного частотного перетворювача вологості нафтопродуктів на основі транзисторної структури з від’ємним опором у поєднанні з вологочутливою конденсаторною циліндричною структурою. ...

Сенсори тиску на основі тензочутливих напівпровідникових елементів

Осадчук, В. С.; Осадчук, О. В.; Кривошея, А. О. (ВНТУ, 2008)

Проаналізовано напівпровідникові тензочутливі елементи: тензорезистори, тензодіоди, тензотранзистори, які покладено в основу сенсорів тиску, а також напівпровідникові сенсори тиску з частотним виходом на основі цих елементів. ...

Перетворювачі оптичної потужності на основі польових фототранзисторів з двостороннім освітленням каналу

Осадчук, В. С.; Ільченко, О. М. (ВНТУ, 2009)

Показано можливість перетворення оптичної потужності на основі автогенераторного пристрою, який складається з транзисторних структур з від’ємним опором, і в якому фоточутливим елементом є МДН-транзистор з двостороннім ...

Оптико-частотний температурний сенсор

Осадчук, В. С.; Осадчук, О. В.; Деундяк, В. П.; Деундяк, М. В. (ВНТУ, 2009)

У статті розглянуто оптико-електронні прилади для вимірювання температури, які об'єднують чималий клас пристроїв. Високі технічно-експлуатаційні характеристики оптичних сенсорів температури дозволяють їхнє використання в ...

Розподіл концентрації інжектованих носіїв заряду в базовій області при дії магнітного поля в біполярних магніточутливих структурах

Осадчук, В. С.; Осадчук, О. В. (ВНТУ, 2011)

Показано вплив магнітного поля на розподіл концентрації носіїв заряду в базовій області біполярних магніточутливих структурах. Отримано теоретичні залежності параметрів біполярних транзисторів з урахуванням цього впливу.

Радіовимірювальний перетворювач температури

Осадчук, В. С.; Осадчук, О. В.; Барабан, С. В. (ВНТУ, 2010)

У статті представлено й описано радіовимірювальний перетворювач температури на основі транзисторної структури з від'ємним опором, виконано комп’ютерний експеримент роботи схеми пристрою, визначено функцію перетворення й ...

Вплив тиску на параметри напівпровідникових структур

Осадчук, В. С.; Осадчук, О. В.; Білоконь, Н. Л.; Кривошея, А. О. (ВНТУ, 2009)

Показано вплив дії тиску на напівпровідникові структури. Визначено теоретичні залежності цього впливу на електрофізичні параметри напівпровідникових структур.

Побудова математичних моделей оптико-частотних сенсорів температури на основі структури, що складається з пари біполярних транзисторів та активної індуктивності

Осадчук, В. С.; Осадчук, О. В.; Деундяк, В. П.; Деундяк, М. В. (ВНТУ, 2010)

У статті розглянуто оптико-електронні прилади для вимірювання температури, які об'єднують широкий клас пристроїв. Високі технічно-експлуатаційні характеристики оптичних сенсорів температури дозволяють їх використовувати в ...

Мікроелектронний сенсор із частотним виходом для визначення часу життя носіїв заряду методом модуляції провідності в точковому контакті

Осадчук, В. С.; Осадчук, О. В.; Дуда, Р. В. (ВНТУ, 2013)

У технологіях виготовлення напівпровідникових приладів використовують різні методи дослідження їхніх параметрів, які оцінюють за зміною структурно-чутливих електричних параметрів – дифузійної довжини пробігу нерівноважних ...