Искать
Отображаемые элементы 1-3 из 3
Індуктивний ефект в напівпровідникових транзисторах
(ВНТУ, 2019)
Проаналізовано процес виникнення індуктивного ефекту в напівпровідникових приладах, зокрема, в біполярних транзисторах. Наведено прості математичні моделі еквівалентів індуктивності на базі біполярних структур транзистора ...
Мікроелектронний пристрій фіксування залишкового електромагнітного поля
(ВНТУ, 2019)
Запропоновано використання широкосмугового НВЧ логарифмічного детектора в пристрої, для вимірювання залишкової потужності електромагнітного поля, що дало можливість розширити діапазон вимірюваних частот від 1 МГц до 3,5 ГГц.
λ-діод на польових транзисторах з керуючим p-n-переходом
(ВНТУ, 2019)
Розглянуто принцип роботи і особливості характеристики та λ-діод на базі комплементарних транзисторів з керуючим p-n-переходом. Досліджено можливість створення навчального лабораторного стенду для експериментального ...