Искать
Отображаемые элементы 1-1 из 1
Математическое моделирование физического механизма образования объёмного приповерхностного заряда в полупроводниках для интеллектуальных частотных сенсоров концентрации газа
(ВНТУ, 2019)
В работе рассмотрена математическая модель физического механизма
возникновения объемного приповерхностного заряда в полупроводниках в первичных
газочувствительных полупроводниковых сенсорах, описывающая зависимость ...