Search
Now showing items 1-8 of 8
Research on a magnetic field sensor with a frequency output signal based on a tunnel-resonance diode
(Lublin University of Technology, 2020)
Based on the consideration of physical processes in a tunnel-resonant diode under the action of a magnetic field, the construction of an autogenerating magnetic field sensor with a frequency output signal is proposed. The ...
Radiomeasuring pressure transducer with sensitive MEMS Capacitor
(Stowarzyszenie Polskich Inżynierów Elektryków i Elektroników, 2017)
In the article the pressure transducer with frequency output based on the structure of the bipolar-field transistors with negative resistance and tenso sensitive MEMS capacitor has been considered. A mathematical model of ...
Дослідження реактивних властивостей тунельно-резонансного діода
(Хмельницький Національний університет, 2020)
На основі розгляду фізичних процесів у тунельно-резонансному діоді визначено аналітичні формули ємності та індуктивності, які залежать як від технологічних параметрів, так і від режиму роботи. Показано, що ємність діода ...
Математична модель мікроелектронного частотного перетворювача вологості з вологочутливим резистивним елементом
(Таврійський національний університет імені В. І. Вернадського, 2021)
Розроблено математичну модель мікроелектронного частотного перетворювача вологості з вологочутливим резистивним елементом. Мікроелектронний частотний перетворювач вологості розроблено на основі транзисторної структури з ...
Математична модель мікроелектронного автогенераторного засобу для вимірювання вологості
(Таврійський національний університет імені В. І. Вернадського, 2021)
Розроблено математичну модель мікроелектронного автогенераторного засобу для вимірювання відносної вологості повітря. Мікроелектронний частотний перетворювач вологості розроблено на основі транзисторної структури з від`ємним ...
Математичне моделювання пристрою з частотним виходом для вимірювання вологості
(Хмельницький національний університет, 2021)
Розроблено пристрій для вимірювання вологості з вологочутливим резистивним елементом HR202. На основі математичного моделювання електричних характеристик розробки отримано аналітичні вирази для функції перетворення та ...
Тензореактивний ефект в біполярних транзисторах
(Вісник Хмельницького Національного університету, 2020)
В роботі представлено розробку та дослідження елементів теорії тензореактивного ефекту в біполярних тензочутливих транзисторах. Розроблено математичні моделі тензореактивного ефекту, які
відрізняються від існуючих тим, ...
Тензореактивний ефект у польових транзисторах
(Вісник Хмельницького національного університету, 2020)
В статті представлено розробку та дослідження елементів теорії тензореактивного ефекту в польових тензочутливих транзисторах. Розроблено математичні моделі тензореактивного ефекту, які
відрізняються від існуючих тим, що ...

