Search
Now showing items 1-3 of 3
Гнучка LTE антена для носимих інфокомунікаційних пристроїв
(Вінницький національний технічний університет, 2021)
У роботі пропонується гнучка конструкція антени для пристроїв LTE-m1. Гнучка антена сконструйована відповідно для діапазону частот B3 1800 МГц (DCS, висхідний канал 1710 - 1785 MHz, низхідний канал 1805 - 1880 MHz) і B20 ...
Increasing radiation resistance of memory devices based on amorphous semiconductors
(Lublin University of Technology, 2020)
A memory cell structure is proposed that uses a Schottky barrier thin film transistor based on an amorphous semiconductor as a junction element, and a chalcogenide glassy semiconductor film as a switching element. A physical ...
Радiацiйностiйкий запам'ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника
(Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут ім. Ігоря Сікорського", 2020)
Запропоновано структуру комiрки пам`ятi, в якiй як елемент розв`язки, використовується тонкоплiв-
ковий польовий транзистор (ТПТ) з бар'єром Шотткi на базi аморфного напiвпровiдника (АН), а
як перемикаючий елемент-плiвка ...