Искать
Отображаемые элементы 1-1 из 1
Фізичні механізми формування структури епітаксійних шарів монокристалів gaas під час вирощування з рідкої фази
(ВНТУ, 2013)
Розроблено технологічні режими зниження щільності дислокацій в епітаксійних шарах (ЕШ) арсеніду галію під час використання ізовалентного металу-розчинника вісмуту, які дозволяють
стабілізувати фронт кристалізації. Розглянуто ...