Search
Now showing items 61-70 of 240
Пристрій для виміру тиску
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності"(УКРПАТЕНТ), 2001-02-15)
Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності"(УКРПАТЕНТ), 2001-08-15)
Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції містить магніточутливий польовий транзистор і джерело постійної напруги. Введені два магніточутливих польових транзистора, два резистори, дві ємності і друге джерело постійної ...
Напівпровідниковий НВЧ фазообертач
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності"(УКРПАТЕНТ), 2001-02-15)
Винахід належить до області радіотехніки і може бути використаний в радіовимірювальній НВЧ апаратурі.
В основу винаходу поставлена задача створення напівпровідникового НВЧ фазообертача, в якому за рахунок введення нових ...
Мікроелектронний пристрій виміру температури
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності"(УКРПАТЕНТ), 2001-07-16)
Мікроелектронний пристрій виміру температури містить джерело постійної напруги, генератор електричних коливань на основі двох термочутливих біполярних транзисторів, чотирьох резисторів і двох ємностей.
У пристрої за ...
Напівпровідниковий електростатичний мікрофон
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності"(УКРПАТЕНТ), 2001-02-15)
Пристрій містить два чутливих до тиску конденсатори, два польових транзистора, джерело напруги, резистор і конденсатор, введено пасивну індуктивність і друге джерело напруги.
Пристрій для вимірювання вологості
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності"(УКРПАТЕНТ), 2001-02-15)
Пристрій має два чутливих до вологи конденсатора, два польових транзистора, джерела живлення
Мікроелектронний оптичний давач
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності"(УКРПАТЕНТ), 2002-01-15)
Мікроелектронний оптичний давач містить два джерела постійної напруги, фоторезистор, польовий транзистор і ємність. Введені два оптичночутливих біполярних транзистори, резистор, друга ємність, причому перший полюс першого ...
Напівпровідниковий датчик вологості
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності"(УКРПАТЕНТ), 2001-02-15)
Конструкція пристрою виконана у вигляді напівпровідникового датчика вологості, який має два чутливих до вологи польових транзистора, перше джерело постійної напруги живлення. В пристрої введена пасивна індуктивність, друге ...
Мікроелектронний давач газу
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності"(УКРПАТЕНТ), 2002-08-15)
Мікроелектронний давач газу, що містить польовий газочутливий транзистор, два джерела постійної напруги, два газочутливих польових транзистори, два резистори і дві ємності. При цьому перший полюс першого джерела постійної ...
Пристрій для вимірювання газу
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності"(УКРПАТЕНТ), 2002-07-15)
Пристрій для вимірювання газу складається з польового газочутливого транзистора, двох джерел постійної напруги, газочутливого резистора, другого польового газочутливого транзистора, індуктивності, ємності і резистора. При ...