Искать
Отображаемые элементы 1-7 из 7
Перетворювач температури з резонансним контуром на основі двозатворноЇ МДН-структури
(Хмельницький національний університет, 2006)
У роботі показано можливість прямого перетворення температури в частоту на основі гібридної ін-тегральної схеми, в якій термочутливий резонансний контур побудований на основі двозатворного МДН-транзистора. Отримано аналітичну ...
Математична модель фізичних процесів у каналі МДН транзистора при дії температури з урахуванням напруги зміщення на затворі
(Sp. zo. o "Nauka i studia", 2014)
Використання двозатворного польового транзистора як первинного перетворювача
температури в автогенераторному сенсорі температури з частот ним
виходом стимулює дослідження термоіндукованих змін параметрів МДН структур
на ...
Моделювання імпедансу ділянки "витік-стік" двозатворного МДН-транзистора при дії температури
(Хмельницький національний університет, 2014)
В роботі представлено математичні модемі впливу температури на імпеданс ділянки "витік-стік" двозатворного МДН транзистора. В моделях враховуються поверхневі стани та реактивні властивості зазначених структур. Проведено ...
Волоконно-оптичний газоаналізатор
(ВНТУ, 2010)
Представлено волоконно-оптичний газоаналізатор, який використовує принцип диференціального оптичного поглинання в діапазоні різних довжин хвиль залежно від параметрів використаних компонентів. Результати проведених розрахунків ...
Волоконно-оптичні перетворювачі газу
(ВНТУ, 2009)
Розглянуто основні принципи побудови волоконно-оптичних систем реєстрації газів, зокрема СН4, С3Н8, C2H4, C2H2, Н2, NH3 та рН. Представлено приклади використання волокна, як оптичного тракту, і як чутливого елементу, для ...
Мікроелектронні сенсори температури з частотним виходом
(ВНТУ, 2006)
В монографії подано основи побудови мікроелектронних пере-
творювачів температури з частотним виходом на основі реактивних
властивостей транзисторних структур з від’ємним опором. Проведе-
но аналіз і визначені фізичні ...
Моделювання імпедансу ділянки "витік-стік" двозатворного МДН-транзистора при дії температури
(Хмельницький національний університет, 2014-01)
В роботі представлено математичні моделі впливу температури на імпеданс ділянки "витікстік" двозатворного МДН транзистора. В моделях враховуються поверхневі стани та реактивні властивості зазначених структур. Проведено ...