Искать
Отображаемые элементы 1-9 из 9
Вплив тиску на параметри напівпровідникових структур
(ВНТУ, 2009)
Показано вплив дії тиску на напівпровідникові структури. Визначено теоретичні залежності цього впливу на електрофізичні параметри напівпровідникових структур.
Аналіз систем диференційно-термічного аналізу напівпровідників
(Publishing house Education and Science s.r.o., 2013)
Як вихід з існуючих проблем і альтернативу вже існуючим і широко використовуваним в техніці системам ДТА напівпровідників пропонуємо власний засіб на основі безконтактних вимірювальних перетворювачів з частотним виходом. ...
Система вхідного контролю некристалічних напівпровідників на основі автогенераторних приладів з від'ємним опором
(Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління, 2011-09)
Розроблено систему вхідного контролю некристалічних напівпровідників при виробництві електронних приладів на основі автогенераторних приладів з від’ємним опором. Представлено результати експериментальних досліджень даної ...
Сучасний стан розвитку методів вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників
(Publishing house Education and Science s.r.o., 2013)
Вхідний контроль завжди відносився до числа першочергових заходів, що забезпечують необхідну якість готової продукції. Проте в сучасних умовах необхідно змінювати сам підхід до реалізації вхідного контролю. Непрямі методи ...
Систематизація вимірювальних перетворювачів фазових переходів некристалічних напівпровідників
(Publishing house Education and Science s.r.o., 2013)
Новими пірометричними перетворювачами стали частотні перетворювачі температури, які склали новий клас з новою класифікаційною ознакою: форма вихідного сигналу – частота. Найбільш перспективним напрямком в розробці пірометричних ...
Деформаційні ефекти у напівпровідникових структурах
(Хмельницький національний університет, 2014)
В статті розглянуто вплив деформаційних ефектів на електрофізичні параметри напівпровідників, зокрема кремнію. Показано, що при малих тисках зміна параметрів напівпровідника відбувається за рахунок зміни рухливості носіїв ...
Метод вхідного контролю фазових переходів халькогенідних склоподібних напівпровідників
(ВНТУ, 2012)
Наукова новизна роботи полягає в тому, що удосконалено метод вхідного контролю фазових переходів халькогенідних склоподібних напівпровідників на основі безконтактного диференційно-термічного аналізу, який відрізняється від ...
Взаємодія оптичного випромінювання з напівпровідниками
(ВНТУ, 2021)
В даній статті поданий опис фізичних процесів у напівпровідниках під час оптичного випромінювання, наведені основні формули розрахунку фізичних ефектів та їх графічне представлення.
Фоторезистивний та фотогальванічний ефекти у напівпровідниках
(ВНТУ, 2021)
В даній статті поданий фоторезистивного та фотогальванічного ефекту у напівпровідниках, їх актуальні дослідження та математичні описи даних процесів.