Искать
Отображаемые элементы 1-10 из 14
Исследование входного сопротивления транзисторного усилителя с эмитерным входом на частотах, близких к граничной
(Москва, 1973)
Важньїм злементом многих радиотехнических схем являегся индуктивность. Ее функцию при ОІіре-деленньїх условиях могут вьіполнять различнне полупро-
водниковьіе приборьі и схемьі [1— 5], в частности усилитель на транзисторе ...
Исследование максимально-достижимого коэффициента усиления четырехполюсников на базе двухзатворного полевого транзистора Шоттки
(Хмельницький державний університет, 2004)
Анализируются возможные схемы включения четырехполюсника двозатворного полевого транзистора Шоттки.
Анализ погрешностей радиочастотных измерений рабочих параметров потенциально-неустойчивых четырехполюсников
(Сумгаитский государственный университет;
Национальная академия авиации, 2003-12)
Погрешность нового метода, рассмотреная для одного частного случая, составляет 30%, что указывает на возможность использования его для осуществления качественной оценки.
Модернизированный метод "плавающей нагрузки" определения иммитансных параметров линейных четырехполюсников
(Технологічний університет Поділля, 2003)
В статье предложено модифицированный метод измерения иммитансных параметров четырехполюсников.
Измерение инвариантного коэффициента устойчивости четырехполюсника
(Хмельницький національний університет, 2003)
В статье рассмотрены методы измерения инвариантного коэффициента устойчивости четырехполюсника.
Нові методи вимірювання параметрів багатоелектродних негатронів
(Одесский национальный политехнический университет, 2003-05)
Розглядаються методи вимірювання параметрів багатоелектродних негатронів
Спосіб вимірювання активної складової комплексного опору
(ВНТУ, 2004)
Становить інтерес спосіб вимірювання активної складової комплексного опору, похибка якого не залежала б від його реактивної складової. В основу способу покладена залежність інваріантного коефіцієнта стійкості невзаємного ...
Методи і засоби вимірювання параметрів безструктурних моделей багатоелектродних напівпровідникових структур
(Житомирський інженерно-технологічний інститут, 2002)
Розглядаються методи вимірювання параметрів безструктурних моделей багатоелектродних напівпровідникових структур.
Спосіб вимірювання максимально-досяжного коефіцієнта підсилення чотириполюсника на границі стійкості
(Хмельницький національний університет, 2001)
В статті запропоновано спосіб вимірювання максимально-досяжного коефіцієнта підсилення чотириполюсника на границі стійкості.
Аналіз методів вимірювання робочих параметрів узагальнених перетворювачів імітансу
(Вінницький державний технічний університет, 2003)
Проведено аналіз методів вимірювання робочих параметрів узагальнених перетворювачів імітанса.