Искать
Отображаемые элементы 1-10 из 22
Моделирование частотного преобразователя оптического излучения с активным индуктивным элементом
(Каунасский технологический университет, 2001)
Полевые фототранзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) нашли широкое использование в системах приема и обработки оптической информации [1,2]. В настоящее время разработанная теория фотополевого эффекта ...
Дослідження впливу оптичного випромінювання на напівпровідниковий діодний елемент
(Вінницький державний технічний університет, 2001)
В статті наведені результати дослідження фотореактивного ефекту в напівпровідникових діодах в ди-намічному режимі на основі розв’язку рівняння переносу при дії оптичного випромінювання, що дало можливість теоретично ...
Дослідження частотного оптичного перетворювача з фоточутливим діодним елементом
(Вінницький державний технічний університет, 2001)
Використання від’ємного опору і реактивних властивостей напівпровідникових приладів дає змогу підвищити чутливість і точність виміру оптичних сигналів завдяки перетворенню їх у частоту [1,2]. Таке перетворення здійснюється ...
Простий неавтономний генератор детермінованого хаосу типу Дуффінга-Холмса
(ВНТУ, 2017)
Об’єктом даного дослідження є динаміка хаотичних коливань в простому неавтономного генераторі детермінованого хаосу
типу Дуффінга-Холмса на операційному підсилювачі.
Генератори детермінованого хаосу на основі транзисторних структур з від'ємним опором
(ВНТУ, 2017)
Об’єктом цього дослідження є вплив нелінійних властивостей транзисторних структур з від’ємним опором на динаміку генерованих хаотичних коливань.
Генератори прямокутних іимпульсів на ПЛІС
(ВНТУ, 2011)
Генератор прямокутних імпульсів фізично реалізовано на ПЛІС родини
FLEX10K Altera EPF10K70RC240-4.
Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы
(Одесский национальный политехнический университет, 2004)
Характеристики радиоизмерительных преобразователей определяют точность и надежность систем радиоуправления, приборов контроля технологических про-
цессов, характеристик окружающей среды, безопасность работы ядерных, ...
Математичні та схемотехнічні основи цифрових пристроїв
(ВНТУ, 2005)
Викладаються арифметичні і логічні засади цифрових пристроїв,
електронні ключі та базові елементи цифрових інтегрованих мікро-
схем, а також основи проектування логічних схем на рівні елементів
малого ступеня інтеграції. ...
Исследование транзисторной структуры с отрицательным сопротивлением
(Каунасский технологический университет, 1998)
Полупроводниковые структуры с трицательным сопротивлением, в частности лямбда структуры, нашли широкое использование в качестве переключающих, генераторных, логических, пороговых устройств [1-3].
Исследование влияния ионного облучения на параметры чувствительных элементов частотных магнитных преобразователей
(Вінницький державний технічний університет, 2001)
В статье показаны исследования влияния ионного облу-чения на параметры чувствительных элементов частотных магнит-ных преобразователей на основе МДП транзисторной структуры с отрицательным сопротивлением.