Искать
Отображаемые элементы 91-100 из 163
Розподіл концентрації інжектованих носіїв заряду в базовій області при дії магнітного поля в біполярних магніточутливих структурах
(ВНТУ, 2011)
Показано вплив магнітного поля на розподіл концентрації носіїв заряду в базовій області
біполярних магніточутливих структурах. Отримано теоретичні залежності параметрів
біполярних транзисторів з урахуванням цього впливу.
Мікроелектронний перетворювач густини оптичної потужності на основі кремнієвих сонячних елементів
(ВНТУ, 2011)
Розроблено математичну модель мікроелектронного перетворювача густини оптичної потужності на основі МДН-транзисторів та кремнієвого сонячного елемента. На основі моделі отримано аналітичні залежності для функції перетворення ...
Математична модель частотного перетворювача вологості з конденсаторною циліндричною структурою
(ВНТУ, 2011)
Розроблено математичну модель частотного перетворювача вологості нафтопродуктів, яка дозволяє визначити значення напруги або струму в будь-якій точці схеми в заданий момент часу. Отримано залежності функції перетворення ...
Аналіз роботи генератора на основі транзисторної структури з від'ємним опором
(Вінницький державний технічний університет, 2000)
Напівпровідникові прилади з від’ємним опором знайшли широке застосування в різноманітних перемикаючих, порогових, підсилювальних пристроях. Проте, в останній час вони знаходять застосування як частотні сенсори газу, ...
Розробка радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів температури на основі структури метал-сегнетоелектрик-напівпровідник
(ВНТУ, 2008-05)
Проаналізовано сучасні технології отримання тонких сегнетоелектричних плівок, методи побудови радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів температури. Запропоновано новий метод вимірювання температури на основі ...
Визначення вольт-амперної характеристики оптичного частотного перетворювача концентрації газу метану
(ВНТУ, 2010)
Отримано аналітичний вираз вольт-амперної характеристики оптичного частотного перетворювача концентрації газу метану на основі системи рівнянь Кірхгофа, складеної для еквівалентної схеми перетворювача по постійному струму.
Исследование частотного магнитного преобразователя на основе транзисторной структуры с отрицательным сопротивлением
(Каунасский технологический университет, 1999)
Первичные измерительные преобразователи являются необходимыми элементами автоматических систем управления производственными процессами. Они позволяют преобразовать в электрические сигналы основные величины, характеризующие ...
Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу
(ВНТУ, 2008-06)
Проведено аналіз фотореактивного ефекту в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу на основі розв’язку рівняння перенесення носіїв заряду в каналі транзистора при дії світла, що дало можливість ...
Перетворювач температури на основі IGBT-BJT структури з від’ємним опором
(ВНТУ, 2009-03)
У цій статті проаналізовано сучасний стан розвитку перетворювачів температури на основі піроелектриків. Представлено і описано новий перетворювач температури на основі транзисторної структури з від’ємним опором. Змодельовано ...
Частотний перетворювач температури на основі сегнетоконденсатора
(ВНТУ, 2011-06)
Подано теоретичні та експериментальні дослідження частотного перетворювача температури на основі сегнетоконденсатора і транзисторної структури з від'ємним опором (ТСВО), показана можливість побудови вимірювальних перетворювачів ...