Искать
Отображаемые элементы 11-20 из 22
Мікроелектронний сенсор переміщення на основі оптико-частотного методу
(ВНТУ, 2013)
Сенсори виконують функцію перетворення інформації з тієї форми, в якій вона поступає на жкистему керування в форму доступну для відображення, обробки та збереження.
Дослідження мікроелектронного частотного перетворювача магнітного поля
(Хмельницький національний університет, 2006)
У роботі показана можливість прямого перетворення індукції магнітного поля в частоту на основі гібридної інтегральної схеми, яка складається з двоколекторного магніточутливого транзистора і біполярно-го транзистора з ...
Методи та засоби вимірювання напівпровідникового опору на основі перетворювачів з частотним виходом
(Sp. zo. o "Nauka i studia", 2014)
На сьогоднішній день існує велика потреба в застосуванні вимірювання питомого
опору на напівпровідникових зразках (виготовлення мікропроцесорів,
мікроконтролерів, схем пам'яті та ін.). Існує багато засобів, методів та ...
Математична модель фізичних процесів у каналі МДН транзистора при дії температури з урахуванням напруги зміщення на затворі
(Sp. zo. o "Nauka i studia", 2014)
Використання двозатворного польового транзистора як первинного перетворювача
температури в автогенераторному сенсорі температури з частот ним
виходом стимулює дослідження термоіндукованих змін параметрів МДН структур
на ...
Фізичний механізм дії тиску на напівпровідники
(«Education and Science» s.r.o., 2012)
При великих тисках відбувається розщеплення зон,
перерозподіл між екстремумами носіїв заряду. В цьому випадку головним фактором,
який змінює параметри напівпровідника, є деформаційна зміна ширини
забороненої зони. Якщо ...
Моделювання імпедансу ділянки "витік-стік" двозатворного МДН-транзистора при дії температури
(Хмельницький національний університет, 2014)
В роботі представлено математичні модемі впливу температури на імпеданс ділянки "витік-стік" двозатворного МДН транзистора. В моделях враховуються поверхневі стани та реактивні властивості зазначених структур. Проведено ...
Радіовимірювальний перетворювач магнітного поля на транзисторній структурі
(Запорізький національний технічний університет, 2016)
Вирішено завдання вимірювання напруженості магнітного поля радіовимірювальним перетворювачем магнітного поля на біполярних та польовому транзисторах. Запропоновано схемотехнічне рішення радіовимірювального перетворювача, ...
Мікроелектронний сенсор концентрації газу з частотним виходом
(Одеська національна академія зв’язку ім. О. С. Попова, 2017-06)
В роботі досліджено мікроелектронний сенсор концентрації газу з частотним виходом, який
представляє собою автогенераторну схему, що складається з трьох біполярних транзисторів, в коло зворотного
зв’язку якої включено ...
Пристрій вимірювання потужності оптичного випромінювання
(ВНТУ, 2017)
Об’єктом даного дослідження є процес перетворення потужності оптичного випромінювання в частотний сигнал у чутливих напівпровідникових структурах. В роботі розглянуто пристрій вимірювання потужності оптичного випромінювання, ...
Мікроелектронний перетворювач магнітного поля з частотним виходом з магніточутливим елементом Холла
(ВНТУ, 2013-11-01)
Запропонована мікроелектронна схема перетворювача магнітної індукції у частотний сигнал з магніточутливим елементом Холла. На основі математичної моделі, що складається з рівнянь Кірхгофа, які описують поведінку схеми, ...

