Искать
Отображаемые элементы 71-80 из 383
Фізичний механізм дії тиску на напівпровідники
(«Education and Science» s.r.o., 2012)
При великих тисках відбувається розщеплення зон,
перерозподіл між екстремумами носіїв заряду. В цьому випадку головним фактором,
який змінює параметри напівпровідника, є деформаційна зміна ширини
забороненої зони. Якщо ...
Моделирование частотного преобразователя оптического излучения с активным индуктивным элементом
(Каунасский технологический университет, 2001)
Полевые фототранзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) нашли широкое использование в системах приема и обработки оптической информации [1,2]. В настоящее время разработанная теория фотополевого эффекта ...
Дослідження впливу оптичного випромінювання на напівпровідниковий діодний елемент
(Вінницький державний технічний університет, 2001)
В статті наведені результати дослідження фотореактивного ефекту в напівпровідникових діодах в ди-намічному режимі на основі розв’язку рівняння переносу при дії оптичного випромінювання, що дало можливість теоретично ...
Дослідження частотного оптичного перетворювача з фоточутливим діодним елементом
(Вінницький державний технічний університет, 2001)
Використання від’ємного опору і реактивних властивостей напівпровідникових приладів дає змогу підвищити чутливість і точність виміру оптичних сигналів завдяки перетворенню їх у частоту [1,2]. Таке перетворення здійснюється ...
Оптимізація параметрів біполярних тензочутливих транзисторів
(ВНТУ, 2016-03)
В роботі розглянуто можливість оптимізації параметрів біполярних тензочутливих транзисторів для створення радіовимірювальних перетворювачів тиску з частотним вихідним сигналом. Отримано аналітичні вирази для абсолютної та ...
Mathematical model of transistor equivalent of electrical controlled capacity
(Національний університет "Львівська політехніка", 2008)
This work the mathematical model of transistor equivalent of electrical controlled capacity based on two bipolar transistors are made. Associations of active and reactive component complete resistance with changeable temperature.
Моделювання частотних перетворювачів товщини на основі від'ємного опору в часовому домені
(Хмельницький національний університет, 2009)
У роботі показаний процес розробки нелінійно-параметричної математичної моделі частотного перетворювача на основі від’ємного опору в динамічному режимі роботи. Показаний метод отримання функції перетворення та нормованої ...
Визначення вольт-амперної характеристики частотного перетворювача зондового струму
(Хмельницький національний університет, 2009)
Отримано аналітичний вираз вольт-амперної характеристики частотного перетворювач зондового струму на основі системи рівнянь Кірхгофа, для еквівалентної схеми перетворювача по постійному струму.
Шучні нейрони з імпульсними представленням інформації
(Хмельницький національний університет, 2012)
У статті пропонується використовувати для сучасних спеціалізованих обчислювальних пристроїв штучні нейрони, здатні обробляти імпульсні сигнали. Це дозволить уникнути перетворювачів та спростити структуру пристроїв. ...
Чисельні методи вимірювання фазових зміщень
(ВНТУ, 2016-03)
Запропоновано математичний апарат та алгоритм визначення різниці фаз двох сигналів. Даний методґрунтується на вимірюванні кута між дотичними до графіків апроксимуючих поліномів двох неперервнихсигналів невідомої форми. ...