Искать
Отображаемые элементы 81-90 из 165
Оптичні сенсори вологості робочих газів підвищеного і атмосферного тиску
(ВНТУ, 2008)
Розглянуто вплив вологості на технологічний процес виготовлення інтегральних мікросхем, принципи побудови сенсорів вологості робочих плазмоутворюючих газів для мікроелектронної технології. Проаналізовано шляхи підвищення ...
Радіовимірювальний перетворювач температури
(ВНТУ, 2010)
У статті представлено й описано радіовимірювальний перетворювач температури на основі транзисторної структури з від'ємним опором, виконано комп’ютерний експеримент роботи схеми пристрою, визначено функцію перетворення й ...
Мікроелектронний частотний перетворювач густини оптичної потужності з активним індуктивним елементом
(ВНТУ, 2010)
Показана можливість перетворення густини оптичної потужності на основі автогенераторного пристрою, який складається з транзисторних структур з від’ємним опором, і в якому фоточутливим елементом є фотодіод. Отримані аналітичні ...
Математична модель сенсору теплового випромінювання на основі структури метал-піроелектрик-напівпровідник
(ВНТУ, 2014-08-01)
Розроблено математичну модель сенсору теплового випромінювання на основі структури метал-піроелектрик-напівпровідник з від’ємним опором, що дозволило отримати його статичну метрологічну характеристику, залежність функції ...
Компенсатор нестаціонарних часових похибок широкосмугових вимірювальних каналів
(ВНТУ, 2007)
Розглянуті питання підходу до визначення нестаціонарних часових похибок, досліджена природа їх виникнення, проведений аналіз похибок аналітичним методом із застосуванням моделі вимірювального каналу. Наведені математичні ...
Волоконно-оптичні перетворювачі газу
(ВНТУ, 2009)
Розглянуто основні принципи побудови волоконно-оптичних систем реєстрації газів, зокрема СН4, С3Н8, C2H4, C2H2, Н2, NH3 та рН. Представлено приклади використання волокна, як оптичного тракту, і як чутливого елементу, для ...
Вплив тиску на параметри напівпровідникових структур
(ВНТУ, 2009)
Показано вплив дії тиску на напівпровідникові структури. Визначено теоретичні залежності цього впливу на електрофізичні параметри напівпровідникових структур.
Аналіз загасання у волоконно-оптичній лінії зв’язку
(ВНТУ, 2014-12-25)
В роботі проаналізовано особливості загасання оптичного сигналу у таких конструктивних елементах волоконно-оптичної лінії зв’язку як оптичний кабель, з’єднувальні муфти та кінцеві оптичні кроси. Розглянуто методи та засоби ...
Розробка математичної моделі мікроелектронного перетворювача оптичного випромінювання
(ВНТУ, 2008)
В статті показані результати дослідження фотореактивного ефекту в напівпровідникових діодах на основі розв’язку рівняння переносу при дії оптичного випромінювання, що дало змогу визначити вплив фотоструму на вольт-амперну ...
Вольт-амперна характеристика радіовимірювального оптичного перетворювача на основі двох МДН-транзисторів
(ВНТУ, 2010)
Отримано аналітичний вираз вольт-амперної характеристики, що описує роботу радіовимірювального оптичного перетворювача на основі двох МДН-транзисторів, в якому в якості фоточутливого елемента використовується кристал ...