ПросмотрКафедра інфокомунікаційних систем і технологій по теме "amprphous semiconductor"
Отображаемые элементы 1-2 из 2
-
Using The Thermal-Field Measurements To Evaluation The Parameters Of The MC Based On AS.
(Національний університет "Львівська політехніка", 2012)In this paper the thermal –field measurements for evaluating the parameters of the memory cell (MC) based on amorphous semiconductor (AS) are used for the analysis of the temperature dependence of differential electrical ... -
Оцінювання впливу температури на порогову напругу комірки пам’яті на базі аморфних напівпровідників
(ВНТУ, 2011)Проведені дослідження залежності порогово напруги комірки пам’яті від температури для випадку, коли довжина вільного пробігу носіїв заряду (дирок) обмежується їх захопленням пастками. Також проведена оцінка величини перетину ...