Искать
Отображаемые элементы 1-6 из 6
Визначення питомого опору запам’ятовуючого пристрою на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників
(Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г. Є. Глушкова, 2009)
Для побудови запам'ятовуючих пристроїв на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників (ХСН) використовується фізичний ефект перемикання, суть якого полягає в зміні характеру провідності, яка має місце при зміні ...
Математична модель комірки пам’яті на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників
(Хмельницький національний університет, 2009)
Показано, що вирази, які використовуються для визначення статичної електропровідності та її залежності від температури для випадку, коли переміщення носіїв заряду проходить по локалізованих станах, не дають можливості ...
Дослідження зміни часу перемикання комірки пам’яті на базі ХСН від товщини плівки та перенапруження у зразку
(Хмельницький національний університет, 2012)
На основі емісійної моделі зміни фаз плівки халькогенідного склоподібного напівпровідника (ХСН) у комірці пам’яті розраховано та побудовано графік залежності часу перемикання від товщини зразка при різних значеннях рухливості ...
Оцінювання впливу температури на порогову напругу комірки пам’яті на базі аморфних напівпровідників
(ВНТУ, 2011)
Проведені дослідження залежності порогово напруги комірки пам’яті від температури для випадку, коли довжина вільного пробігу носіїв заряду (дирок) обмежується їх захопленням пастками. Також проведена оцінка величини перетину ...
Using The Thermal-Field Measurements To Evaluation The Parameters Of The MC Based On AS.
(Національний університет "Львівська політехніка", 2012)
In this paper the thermal –field measurements for evaluating the parameters of the memory cell (MC) based on amorphous semiconductor (AS) are used for the analysis of the temperature dependence of differential electrical ...
Оцінювання залежності часу затримки від температури та концентрації пасток захоплення в комірці пам’яті на базі ХСН
(Одеська національна академія зв' язку ім О. С. Попова, 2013)
Проведені дослідження показують, що при збільшенні температури час затримки перемикання комірки пам’яті на базі ХСН нелінійно зростає, причому, чим більший іонізаційний бар’єр, тим повільніше відбувається зростання. ...