Искать
Отображаемые элементы 1-10 из 15
Визначення питомого опору запам’ятовуючого пристрою на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників
(Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г. Є. Глушкова, 2009)
Для побудови запам'ятовуючих пристроїв на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників (ХСН) використовується фізичний ефект перемикання, суть якого полягає в зміні характеру провідності, яка має місце при зміні ...
Математична модель комірки пам’яті на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників
(Хмельницький національний університет, 2009)
Показано, що вирази, які використовуються для визначення статичної електропровідності та її залежності від температури для випадку, коли переміщення носіїв заряду проходить по локалізованих станах, не дають можливості ...
Пристрій для читання –запису інформації енергонезалежної комірки пам’яті на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника
(Хмельницький національний університет, 2015)
Розглянуто стан і проблеми розвитку енергонезалежних цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника. Запропоновано нову структурну схему пристрою для читання/запису інформації ...
Дослідження зміни часу перемикання комірки пам’яті на базі ХСН від товщини плівки та перенапруження у зразку
(Хмельницький національний університет, 2012)
На основі емісійної моделі зміни фаз плівки халькогенідного склоподібного напівпровідника (ХСН) у комірці пам’яті розраховано та побудовано графік залежності часу перемикання від товщини зразка при різних значеннях рухливості ...
Пристрій для запису/читання інформації халькогенідного елемента цифрової пам’яті
(Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», 2015)
Метою розробки даного пристрою є підвищення надійності та радіаційної стійкості цифрових пристроїв зберігання інформації. Досліди показують, що вплив жорсткого електромагнітного випромінювання наближеного до космічного ...
Пристрій для програмування елемента пам‘яті на базі ХСН
(ВНТУ, 2016-03)
Розглянуто стан і проблеми розвитку енергонезалежних цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника. Запропоновано нову структурну схему пристрою для читання/запису інформації ...
Аналіз швидкодії елемента пам’яті на базі ХСН
(ВНТУ, 2009)
У дослідженні аналітично доведено, що процес переходу комірки пам’яті на базі аморфного напівпровідника в запам’ятовуючий стан можна розглядати, як поступове просування струмового каналу від анода до катода. Після досягнення ...
Оцінювання впливу температури на порогову напругу комірки пам’яті на базі аморфних напівпровідників
(ВНТУ, 2011)
Проведені дослідження залежності порогово напруги комірки пам’яті від температури для випадку, коли довжина вільного пробігу носіїв заряду (дирок) обмежується їх захопленням пастками. Також проведена оцінка величини перетину ...
Using The Thermal-Field Measurements To Evaluation The Parameters Of The MC Based On AS.
(Національний університет "Львівська політехніка", 2012)
In this paper the thermal –field measurements for evaluating the parameters of the memory cell (MC) based on amorphous semiconductor (AS) are used for the analysis of the temperature dependence of differential electrical ...
Запам’ятовуючий пристрій на базі аморфних напівпровідників
(ВНТУ, 2009)
У даній праці пропонується використати комірку пам’яті на базі аморфного напівпровідника і транзистора, емітер якого також виготовлений із аморфного напівпровідника. Це підвищує радіаційну стійкість комірки пам’яті. Також ...