Искать
Отображаемые элементы 1-10 из 11
Визначення питомого опору запам’ятовуючого пристрою на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників
(Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г. Є. Глушкова, 2009)
Для побудови запам'ятовуючих пристроїв на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників (ХСН) використовується фізичний ефект перемикання, суть якого полягає в зміні характеру провідності, яка має місце при зміні ...
Математична модель комірки пам’яті на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників
(Хмельницький національний університет, 2009)
Показано, що вирази, які використовуються для визначення статичної електропровідності та її залежності від температури для випадку, коли переміщення носіїв заряду проходить по локалізованих станах, не дають можливості ...
Пристрій для читання –запису інформації енергонезалежної комірки пам’яті на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника
(Хмельницький національний університет, 2015)
Розглянуто стан і проблеми розвитку енергонезалежних цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника. Запропоновано нову структурну схему пристрою для читання/запису інформації ...
Дослідження зміни часу перемикання комірки пам’яті на базі ХСН від товщини плівки та перенапруження у зразку
(Хмельницький національний університет, 2012)
На основі емісійної моделі зміни фаз плівки халькогенідного склоподібного напівпровідника (ХСН) у комірці пам’яті розраховано та побудовано графік залежності часу перемикання від товщини зразка при різних значеннях рухливості ...
Пристрій для запису/читання інформації халькогенідного елемента цифрової пам’яті
(Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», 2015)
Метою розробки даного пристрою є підвищення надійності та радіаційної стійкості цифрових пристроїв зберігання інформації. Досліди показують, що вплив жорсткого електромагнітного випромінювання наближеного до космічного ...
Пристрій для програмування елемента пам‘яті на базі ХСН
(ВНТУ, 2016-03)
Розглянуто стан і проблеми розвитку енергонезалежних цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника. Запропоновано нову структурну схему пристрою для читання/запису інформації ...
Аналіз швидкодії елемента пам’яті на базі ХСН
(ВНТУ, 2009)
У дослідженні аналітично доведено, що процес переходу комірки пам’яті на базі аморфного напівпровідника в запам’ятовуючий стан можна розглядати, як поступове просування струмового каналу від анода до катода. Після досягнення ...
Запам’ятовуючий пристрій на базі аморфних напівпровідників
(ВНТУ, 2009)
У даній праці пропонується використати комірку пам’яті на базі аморфного напівпровідника і транзистора, емітер якого також виготовлений із аморфного напівпровідника. Це підвищує радіаційну стійкість комірки пам’яті. Також ...
Оцінювання залежності часу затримки від температури та концентрації пасток захоплення в комірці пам’яті на базі ХСН
(Одеська національна академія зв' язку ім О. С. Попова, 2013)
Проведені дослідження показують, що при збільшенні температури час затримки перемикання комірки пам’яті на базі ХСН нелінійно зростає, причому, чим більший іонізаційний бар’єр, тим повільніше відбувається зростання. ...
Організація та структура матриць пам’яті на базі хсн
(ВНТУ, 2017)
Розглянуто проблеми створення енергонезалежних
цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного
склоподібного напівпровідника. Запропоновано структурні схеми
двовимірної та тривимірної матриці ...