Искать
Отображаемые элементы 11-15 из 15
Оцінювання залежності часу затримки від температури та концентрації пасток захоплення в комірці пам’яті на базі ХСН
(Одеська національна академія зв' язку ім О. С. Попова, 2013)
Проведені дослідження показують, що при збільшенні температури час затримки перемикання комірки пам’яті на базі ХСН нелінійно зростає, причому, чим більший іонізаційний бар’єр, тим повільніше відбувається зростання. ...
Організація та структура матриць пам’яті на базі хсн
(ВНТУ, 2017)
Розглянуто проблеми створення енергонезалежних
цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного
склоподібного напівпровідника. Запропоновано структурні схеми
двовимірної та тривимірної матриці ...
Оцінювання параметрів перемикання комірки пам’яті на базі аморфних напівпровідників
(ВНТУ, 2014-02-06)
Розглянуто питання обчислення та якісного оцінювання часу затримки перемикання комірки пам’яті на базі аморфного напівпровідника від температури та концентрації пасток захоплення. На основі отриманих формул побудовано та ...
Швидкість програмування енергонезалежної пам’яті на базі хсн
(ВНТУ, 2014)
Проведено дослідження впливу низки чинників на швидкість програмуванняенергонезалежної пам’яті (ЕНП) на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника (ХСН).Описано метод визначення швидкості програмування для ввімкнення ...
Організація та структура матриць пам’яті на базі ХСН
(ВНТУ, 2017)
Розглянуто проблеми створення енергонезалежних цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника. Запропоновано структурні схеми двовимірної та тривимірної матриці пам’яті. ...