Искать
Отображаемые элементы 1-10 из 10
Исследование максимально-достижимого коэффициента усиления четырехполюсников на базе двухзатворного полевого транзистора Шоттки
(Хмельницький державний університет, 2004)
Анализируются возможные схемы включения четырехполюсника двозатворного полевого транзистора Шоттки.
Анализ погрешностей радиочастотных измерений рабочих параметров потенциально-неустойчивых четырехполюсников
(Сумгаитский государственный университет;
Национальная академия авиации, 2003-12)
Погрешность нового метода, рассмотреная для одного частного случая, составляет 30%, что указывает на возможность использования его для осуществления качественной оценки.
Модернизированный метод "плавающей нагрузки" определения иммитансных параметров линейных четырехполюсников
(Технологічний університет Поділля, 2003)
В статье предложено модифицированный метод измерения иммитансных параметров четырехполюсников.
Измерение инвариантного коэффициента устойчивости четырехполюсника
(Хмельницький національний університет, 2003)
В статье рассмотрены методы измерения инвариантного коэффициента устойчивости четырехполюсника.
Ємнісний негасенсор з частотним виходом
(ВНТУ, 2013)
Досліджено схему ємнісного негасенсора з частотним виходом на RC-автогенераторі. Показано, що наявність від’ємної ємності С-негатрона приводить до підвищення чутливості сенсора в 2...5 разів, а наявність від’ємного активного ...
Дослідження схемотехнічних реалізацій С-негатронів на конверторах від'ємного опору
(ВНТУ, 2011)
У роботі розглянуто чотири основні схеми С-негатронів на конверторах від’ємного опору на операційних підсилювачах (ОП). Показано, що під час використання позитивного зворотного зв’язку за напругою реалізується активний ...
Трёхпараметрический генераторный датчик
(Одесский национальный политехнический университет, 2014)
У роботі розглядається можливість побудови трипараметричного радіочастотного датчика. Розроблено математичну модель датчика, яка описує взаємозв'язок параметрів датчика з параметрами первинних вимірювальних перетворювачів. ...
Дослідження параметрів імітансного кола двопараметричного конвертора імітансу на основі польового транзистора
(Хмельницький національний університет, 2013)
Метою дослідження є визначення основних параметрів імітансних кіл багатопараметричних узагальнених перетворювачів імітансу на основі польового транзистора. Досліджено залежності критичних точок імітансного кола ...
Passive Immitance LC-Logic Gates
(TCSET'2014, 2014)
This article describes the passive components LC-Logic Gates "AND", "NOT", "OR", which you can build without power. Justified mode of operation, filed a truth table.
Індуктивний негасенсор мостового типу на L-негатроні
(ВНТУ, 2011)
Розглядається індуктивний негасенсор мостового типу на L-негатроні, в якому підвищено коефіцієнт перетворення та відносну чутливість за рахунок введення в схему індуктивного сенсора-прототипу схемотехнічного аналога ...