Искать
Отображаемые элементы 81-90 из 197
Анализ погрешностей радиочастотных измерений рабочих параметров потенциально-неустойчивых четырехполюсников
(Сумгаитский государственный университет;
Национальная академия авиации, 2003-12)
Погрешность нового метода, рассмотреная для одного частного случая, составляет 30%, что указывает на возможность использования его для осуществления качественной оценки.
Дослідження повного опору магніточутливого тиристора
(Хмельницький національний університет, 2011-02)
Розроблено математичну модель магніточутливого тиристора, що дає змогу розрахувати зміну повного опору при дії магнітного поля. Магнітотиристор подано у вигляді еквівалентної схеми, яка складається з двох магнітотранзисторів.
На ...
Модернизированный метод "плавающей нагрузки" определения иммитансных параметров линейных четырехполюсников
(Технологічний університет Поділля, 2003)
В статье предложено модифицированный метод измерения иммитансных параметров четырехполюсников.
Оптичний мікроелектронний перетворювач з фототранзистором для контролю плазмохімічних процесів
(Хмельницький національний університет, 2009)
Розроблено математичну модель мікроелектронного оптичного перетворювача для контролю
плазмохімічних процесів, яка складається з біполярного та МДН- транзисторів та фототранзистора в
якості фоточутливого елемента, на ...
Измерение инвариантного коэффициента устойчивости четырехполюсника
(Хмельницький національний університет, 2003)
В статье рассмотрены методы измерения инвариантного коэффициента устойчивости четырехполюсника.
Дослідження вибору розмірності маски для методу підвищення різкості до максимального нахилу примежової кривої
(Хмельницький національний університет, 2014)
Стаття присвячена цифровій обробці зображень. Розроблений раніше метод підвищення різкості до максимального нахилу примежової кривої вимагає адекватного вибору розмірності маски вагових коефіцієнтів. В статті наведено ...
Оптичний мікроелектронний перетворювач з активним індуктивним елементом для контролю плазмохімічних процесів
(ВНТУ, 2009)
Розроблено математичну модель мікроелектронного оптичного перетворювача з активним індуктивним елементом, призначеного для контролю плазмохімічних процесів. На основі моделі отримано аналітичні залежності для функції ...
Вольт-амперна характеристика частотного оптичного перетворювача для контролю плазмохімічних процесів з активним індуктивним елементом
(ВНТУ, 2010)
Розроблено математичну модель вольт-амперної характеристики мікроелектронного оптичного перетворювача на основі біполярного та МДН-транзисторів з активним індуктивним елементом для контролю плазмохімічних елементів.
Оптичний актинометричний метод контролю плазмохімічних процесів в мікроелектронній технології
(Хмельницький національний університет, 2014)
На прикладі плазмохімічного травлення стуктур р-Si/SiO2/Si проаналізовані можливості і
перспективи використання оптичного актиметричного методу контролю плазмохімічного травлення при
виготовленні приладів сучасної мікро- ...
Спосіб вимірювання активної складової комплексного опору
(ВНТУ, 2004)
Для знаходження активної складової комплексного опору досить мати значення інваріантного коефіцієнта стійкості чотириполючника при трьох значеннях.