Search
Now showing items 1-10 of 16
Мікроелектронний сенсор температури
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2008-04-10)
Мікроелектронний сенсор температури належить до контрольно-вимірювальної техніки і може використовуватись для вимірювання температури.
Мікроелектронний сенсор теплової потужності
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2008-03-25)
Мікроелектронний сенсор теплової потужності містить польовий транзистор, біполярний транзистор, перше джерело постійної напруги, конденсатор з напиленою плівкою піроелектрика, котушку індуктивності, конденсатор і друге ...
Мікроелектронний сенсор температури на основі транзисторної піроелектричної структури з активним індуктивним елементом
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2018-06-25)
Мікроелектронний сенсор температури на основі транзисторної піроелектричної структури з активним індуктивним елементом, містить польовий транзистор, індуктивність, конденсатор, перше і друге джерело напруги, при цьому ...
Мікроелектронний сенсор магнітного поля
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2012-06-25)
Мікроелектронний сенсор магнітного поля, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми. Введені двозатворний МОН-транзистор, індуктивність ...
Мікроелектронний частотний сенсор оптичної потужності
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2010-12-10)
Мікроелектронний частотний сенсор оптичної потужності містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-транзистор, резистор, конденсатор, загальну шину. Введено другий МДН-транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело ...
Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2009-06-25)
Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, конденсатор, резистор та загальну шину. Введено біполярний ...
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2009-06-25)
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, резистор, конденсатор та загальну шину. Введено другий МДН-фототранзистор, пасивну ...
Мікроелектронний сенсор температури з активним індуктивним елементом
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2015-04-10)
Мікроелектронний сенсор температури з активним індуктивним елементом, який містить два джерела постійної напруги, генератор електричних коливань на основі польового транзистора, який є термочутливим елементом, обмежувальний ...
Напівпровідниковий сенсор оптичної потужності
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2012-05-10)
Напівпровідниковий сенсор оптичної потужності містить джерела постійної напруги, МДН-транзистори, резистори, конденсатори, загальну шину, біполярний транзистор, сонячний елемент.
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2009-07-27)
Винахід належить до засобів контрольно-вимірювальної техніки, зокрема мікроелектронних сенсорів оптичної потужності для автоматичного керування технологічними процесами. Мікроелектронний сенсор оптичної потужності містить ...