Search
Now showing items 11-17 of 17
Дослідження сенсора температури з частотним виходом на основі квантової гетероструктури з від'ємним диференційним опором
(Хмельницький національний університет, 2021)
Розгляд фізичних процесів у квантовій двобар`єрній гетероструктурі, яка є основою розбудови тунельно-резонансних діодів показав, що тунельно-резонансні діоди можна використовувати як сенсори температури з частотним вихідним ...
Дослідження генератора електричних коливань на основі тунельно-резонансного діода
(Таврійський національний університет імені В. І. Вернадського, 2020)
На основі повної еквівалентної схеми тунельно-резонансного діода, яка враховує його ємнісні та індуктивні властивості, складено диференційне рівняння другого порядку, що описує фізичні процеси
в коливальній системі ...
Дослідження реактивних властивостей тунельно-резонансного діода
(Хмельницький Національний університет, 2020)
На основі розгляду фізичних процесів у тунельно-резонансному діоді визначено аналітичні формули ємності та індуктивності, які залежать як від технологічних параметрів, так і від режиму роботи. Показано, що ємність діода ...
Мікроелектронний перетворювач «вологість-частота» з ємнісними елементами на основі вологочутливих пористих шарів
(Хмельницький Національний університет, 2018)
Розроблено мікроелектронний частотний перетворювач вологості з вологочутливими конденсаторами Р14 Rapid (Wired і SMD) фірми «Innovative sensor technology», вологочутливим конденсатором HСH1000
фірми «Honeywell» та ...
Оптико-частотний витратомір газу
(Хмельницький Національний університет, 2021)
В роботі представлено дослідження оптико-частотного витратоміра газу на основі транзисторної структури з від`ємним диференційним опором. Розроблено математичну модель оптико-частотного
витратоміра з фоточутливим резистивним ...
Тензореактивний ефект в біполярних транзисторах
(Вісник Хмельницького Національного університету, 2020)
В роботі представлено розробку та дослідження елементів теорії тензореактивного ефекту в біполярних тензочутливих транзисторах. Розроблено математичні моделі тензореактивного ефекту, які
відрізняються від існуючих тим, ...
Тензореактивний ефект у польових транзисторах
(Вісник Хмельницького національного університету, 2020)
В статті представлено розробку та дослідження елементів теорії тензореактивного ефекту в польових тензочутливих транзисторах. Розроблено математичні моделі тензореактивного ефекту, які
відрізняються від існуючих тим, що ...

