<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Моделювання імпедансу ділянки "витік-стік" двозатворного МДН-транзистора при дії температури

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorОсадчук, Я. О.uk
dc.contributor.authorПавлик, Б. П.uk
dc.contributor.authorКравчук, Н. С.uk
dc.date.accessioned2016-02-18T15:22:05Z
dc.date.available2016-02-18T15:22:05Z
dc.date.issued2014-01
dc.description.abstractВ роботі представлено математичні моделі впливу температури на імпеданс ділянки "витікстік" двозатворного МДН транзистора. В моделях враховуються поверхневі стани та реактивні властивості зазначених структур. Проведено аналіз фізичних процесів на поверхні та в об`ємі каналу двозатворного МДН транзистора, отримано функціональні залежності імпедансу реактивного МДН транзистора від температури навколишнього середовища в широкій смузі частот для різних зміщень на затворах.uk
dc.description.abstractThe paper presents the mathematical model the effect of temperature on the impedance region "source­drain" of the two gate MOSFET. The models take into account the surface states on the reactive properties of these structures. The analysis of physical processes on the surface and in the two channel MOSFET gate obtaineden
dc.identifier.citationМоделювання імпедансу ділянки "витік-стік" двозатворного МДН-транзистора при дії температури [Текст] / О. В. Осадчук, Я. О. Осадчук, Б. В. Павлик, Н. С. Кравчук // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. - 2014. - № 1. - С. 60-66.uk
dc.identifier.issn2219-9365
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/8421
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherХмельницький національний університетuk
dc.subjectтранзисторна структура з від'ємним опоромuk
dc.subjectтемператураuk
dc.subjectтранзисторuk
dc.subjectвід'ємний опірuk
dc.subjectімпедансuk
dc.subjectimpedanceen
dc.subjecttwo gate MOSFETen
dc.subjecttemperatureen
dc.titleМоделювання імпедансу ділянки "витік-стік" двозатворного МДН-транзистора при дії температуриuk
dc.title.alternativeModeling impedance region "source-drain" two gate mos transistor under the influence of temperatureen
dc.typeArticle

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Осадчук.pdf
Розмір:
1,05 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
2,14 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові видання каф. ІРТС