<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Оцінка основних параметрів імітансних логічних елементів

dc.contributor.authorЛіщинська, Л. Б.uk
dc.contributor.authorLischynska, Liudmyla Bronislavivnaen
dc.titleОцінка основних параметрів імітансних логічних елементівuk
dc.title.alternativeEvaluation of the main parameters of immittance logic elementsen
dc.date.issued2012-10-26
dc.publisherВінницький національний технічний університетuk
dc.identifier.citationЛіщинська Л. Б. Оцінка основних параметрів імітансних логічних елементів [Текст] / Л. Б. Ліщинська // Інформаційні технології та комп ютерна інженерія. - 2011. - № 3.uk
dc.relation.urihttp://itce.vntu.edu.ua/index.php/itce/article/view/61
dc.identifier.issn2078-6387
dc.identifier.issn1999-9941
dc.identifier.udc621.396.6
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3811
dc.description.abstractПроведено обґрунтування основних параметрів імітансних логічних елементів: швидкодії, коефіцієнту об‘єднання по входу, коефіцієнту розгалуження, коефіцієнту стійкості, споживаної потужності і потужності, яка витрачається на переключення. Отримані аналітичні вирази для цих параметрів, які придатні до використання при реалізації імітансних ЛЕ як на біполярних, так і польових транзисторних структурах.uk
dc.description.abstractПроведено обоснование основных параметров иммитансных логических элементов: быстродействия, коэффициента объединения по входу, коэффициента разветвления, коэффициента устойчивости, потребляемой мощности и мощности, которая затрачивается на переключение. Получены аналитические выражения для этих параметров, которые могут быть использованы при реализации иммитансных ЛЭ как на биполярной, так и полевой транзисторных структурах.ru
dc.description.abstractThe ground of basic parameters of immittance logical elements is conducted: fast-acting, coefficient of association on an entrance, coefficient of fork, coefficient of firmness, watts-in and power which is expended on switching. Analytical expressions are got for these parameters, what can be used for realization of immittance LE both on bipolar and to the field transistor structures.en
dc.subjectімітансuk
dc.subjectузагальнений перетворювач імітансуuk
dc.subjectімітансний логічний елементuk
dc.subjectиммитансru
dc.subjectобобщенный преобразователь иммитансаru
dc.subjectиммитансный логический элементru
dc.subjectimmittanceen
dc.subjectgeneralized transformer of immittanceen
dc.subjectimmittance logical elementen
dc.typeArticle
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.date.accessioned2016-01-19T12:53:04Z
dc.date.available2016-01-19T12:53:04Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
68.pdf
Розмір:
337,41 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
132 B
Формат:
Plain Text
Опис: