Дослідження параметрів імітансного кола двопараметричного конвертора імітансу на основі польового транзистора

Abstract

Метою дослідження є визначення основних параметрів імітансних кіл багатопараметричних узагальнених перетворювачів імітансу на основі польового транзистора. Досліджено залежності критичних точок імітансного кола конвертора імітансу в діапазоні перетворених імітансів омічного, ємнісного та індуктивного характеру. Показано, що багатопараметричні конвертори імітансу на основі польової транзисторної структури є перспективними елементами для реалізації на їх основі адаптивних генераторних давачів.The purpose of the study is to determine the basic parameters of multiparameter generalized immitance convertors immitance circles on the basis of FET. The research of the main immitance circle parameters for the immitance convertor was conducted in the range of converted resistive, capacitive and inductive immitances. The research results proved that multiparameter immitance convertors on the basis of FET are perspective elements for adaptive oscillator sensors implementation.Целью исследования является определение основных параметров иммитансних кругов многопараметрических обобщенных преобразователей иммитанса на основе полевого транзистора. Исследованы зависимости критических точек иммитансного круга конвертора иммитанса в диапазоне преобразованных иммитансов омического, емкостного и индуктивного характера. Показано, что многопараметрические конверторы иммитанса на основе полевой транзисторной структуры являются перспективными элементами для реализации на их основе адаптивных генераторных датчиков.