<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Перетворювач вологості газів на основі чутливої транзисторної структури з від’ємним опором

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЗагоруйко, Т. В.uk
dc.contributor.authorСавицький, А. Ю.uk
dc.date.accessioned2020-03-30T16:10:03Z
dc.date.available2020-03-30T16:10:03Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractAn autogenerator transistor humidity converter is proposed on the basis of a transistor structure with negative resistance, the basis of which is the principle of the transformation of humidity into the frequency information signal.en
dc.identifier.citationСавицький А. Перетворювач вологості газів на основі чутливої транзисторної структури з від’ємним опором [Електронний ресурс] / А. Савицький // Матеріали XLIX науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 27-28 квітня 2020 р. – Електрон. текст. дані. – 2020. – Режим доступу: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2020/paper/view/9482.uk
dc.identifier.udc681.12
dc.identifier.urihttps://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/29216
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherВінницький національний технічний університетuk
dc.relation.ispartofМатеріали XLIX науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 27-28 квітня 2020 р.uk
dc.relation.referencesПатент України на корисну модель № 42213, МПК (2011.01) G01N 21/53. Напівпровідниковий гігрометричний сенсор / А. Ю. Савицький, О. В. Осадчук, Л. В. Крилик, О. Л. Гладковська, О. С. Звягін; заявник та патентовласник Вінницький національний технічний університет – №2009009; заявл. 06.02.2009; опубл. 25.06.2009; Бюл. № 12.uk
dc.relation.referencesОсадчук О. В. Осадчук В. С., Савицький А. Ю. Радіовимірювальні перетворювачі вологості на основі МДН-структур. Монографія //Вінниця: ВНТУ – 2016. – 152 с.uk
dc.relation.urihttps://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2020/paper/view/9482
dc.subjectautogeneratoren
dc.subjecthumidityen
dc.subjectfrequency of information signalen
dc.titleПеретворювач вологості газів на основі чутливої транзисторної структури з від’ємним опоромuk
dc.typeThesis

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
9482.pdf
Розмір:
450,41 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
17 B
Формат:
Plain Text
Опис:
Завантажити

Зібрання

НТКП ВНТУ. Факультет інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (2020)