Аналіз імпедансних властивостей комбінованого світлоприймального оптонегатрона

Abstract

Запропоновано математичну модель комбінованого оптонегатрона на біполярному фототранзисторі, проведено дослідження впливу інтенсивності оптичного випромінювання на основні імпедансні характеристики комбінованих транзисторних оптонегатронів у діапазоні частот, де вони є потенційно-нестійкими.Предложена математическая модель комбинированного оптонегатрона на биполярном фототранзисторе, проведено исследование влияния интенсивности оптического излучения на основные импедансные характеристики комбинированных оптонегатронов в диапазоне частот, где они являются потенциально-неустойчивыми.The mathematical model of combined optonegatron on the bipolar phototransistor base is offered, the research of influence of intensity of optical radiation on the basic impedance characteristics of combined optonegatrons in the range of frequencies where they are potential - unstable is carried out.