Магніточутливий сенсор на основі гетерометалевої комплексної сполуки

Abstract

Cинтезовано матеріал μ-метоксо(купрум(ІІ), бісмут(ІІІ)) ацетилацетонат, такого складу: Cu3Bi(AA)4(OCH3)5, де HAA = H3C–C(O)–CH2–C(O)–CH3, проведено експериментальні вимірювання та теоретичні розрахунки основних фізичних параметрів даного матеріалу. Доведено, що даний матеріал є напівпровідником, причому з носіями заряду обох знаків. Отримано залежності концентрації носіїв заряду та сталої Холла від температури. В діапазоні температур від 50°С до 220°С концентрація носіїв заряду зростає від 8,21·1023 м-3 до 4,36·1035м-3, а стала Холла зменшується від 8,9·10-6 м3·Кл-1 до 1,6·10-17 м3·Кл-1. Отримано залежності напруги Холла та напруженості електричного поля, всередині пластини розмірами 0,5×0,5×0,15 мм, від індукції магнітного поля

The synthesis of the material μ-methoxy (cupram(II), bismuth(III)) acetylacetonate, composition Cu3Bi (AA)4 (OCH3)5, where HAA = H3C-C (O) –CH2-C (O) –CH3, experimental measurements and theoretical calculations of the basic physical parameters of this material are carried out. It is proved that this material is a semiconductor, and with the carriers of the charge of both signs. The dependences of the concentration of charge carriers and the constant Hall on temperature are obtained. In the temperature range from 50 ° C to 220 ° C, the concentration of charge carriers increases from 8,21·1023 m-3 to 4,36·1035 m-3, and the Hall's value decreases from 8,9·10-6 m3·Cl-1 to 1,6·10-17 m3·Cl-1. The dependences of the Hall voltage and the intensity of the electric field, in the middle of the plate 0,5 × 0,5 × 0,15 mm, on the induction of the magnetic field were obtained.