Математическая модель микроэлектронного частотного преобразователя с влагочувствительным МДП – транзистором

Abstract

Использование современных технологий микроэлектроники предоставляет возможность разрабатывать и создавать влагочувствительные элементы на основе МДП – транзисторных структур [1-5]. Использование МДП – транзисторных структур позволяет уменьшить зависимость измеряемого параметра – относительной влажности - от влияния температуры окружающей среды, повысить чувствительность и точность измерения. Конструктивно микроэлектронные частотные преобразователи выполняются в виде интегральной схемы, которая состоит из трех МДП – транзисторов. Влагочувствительным элементом выступает двухзатворный МДП – транзистор, под вторым затвором которого создан влагочувствительный аморфный слой двуокиси кремния. В работе представлены исследования двух конструкций устройств с разными типами комплементарных МДП –транзисторов.