<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Підвищення вірогідності неруйнівного контролю структурних перетворень некристалічних напівпровідників

dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorБарабан, С. В.uk
dc.contributor.authorСеменов, А. О.uk
dc.date.accessioned2016-03-23T11:44:20Z
dc.date.available2016-03-23T11:44:20Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractУ  роботі  розв’язано  важливу  науково‐практичну  проблему,  яка  полягає  в  створенні  методів  і  засобів неруйнівного  контролю  структурних  перетворень  некристалічних  напівпровідників,  що  дозволяють  підвищити вірогідність  контролю.  Проведено  оцінювання  вірогідності  контролю  при  реалізації  методу  неруйнівного  контролю структурних перетворень некристалічних напівпровідників на основі диференційно‐термічного аналізу.uk
dc.description.abstractIn this wok an important scientific and practical problem has been solved. It is creating methods and facilities of an  uncrystalline  semiconductors  structure  transformation  non‐destroying  control,  which  allows  a  control  reliability increasing.  The  control  reliability  has  been  estimated  while  realizing  the  method  of  the  uncrystalline  semiconductors structure transformation non‐destroying control based on differential‐thermal analysis. en
dc.identifier.citationОсадчук О. В. Підвищення вірогідності неруйнівного контролю структурних перетворень некристалічних напівпровідників [Текст] / О. В. Осадчук, C. В. Барабан, А. О. Семенов // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. - 2012. - № 2. - С. 79-82.uk
dc.identifier.issn2219-9365
dc.identifier.udc658.562.42
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/9202
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherХмельницький національний університетuk
dc.subjectнеруйнівний контрольuk
dc.subjectвірогідністьuk
dc.subjectавтогенераторuk
dc.subjectнекристалічні напівпровідникиuk
dc.subjectмоделюванняuk
dc.titleПідвищення вірогідності неруйнівного контролю структурних перетворень некристалічних напівпровідниківuk
dc.typeArticle

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
Pidvushennia_virogidnisti.pdf
Розмір:
395,07 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Стаття

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
2,14 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: