Мультифункціональний сенсор на інтегральній магнітотранзисторній структурі

Abstract

Представлені нові підходи реалізації мультифункціонального сенсора на основі інтегральної структури латерального магнітотранзистора. Сенсор забезпечує вимірювання трьох параметрів – двох ортогональних проекцій вектора індукції магнітного поля та температури. Інформативними сигналами параметрів магнітного поля є різницева та сумарна складова колекторних струмів магнітотранзистора, а температури – падіння напруги на прямо-зміщеному колекторному p-n переході в інверсному режимі живлення.The work gives new approaches to implementation of a multifunctional sensor based on the lateral magnetotransistor’s integral structure. The sensor provides measurement of three parameters – two orthogonal magnetic-field vector’s projections and temperature. The informative signals of the magnetic field parameters are the differential and summed collector currents of a magnetotransistor whereas the temperature informative signal is the voltage drop on the forward-biased collector p-n-junction in reverse operation mode.