Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках

Abstract

Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках містить джерело світла та епітаксіальну структуру, що послідовно з'єднані між собою. Додатково в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить фоторезистор, резистор, перший та другий польові транзистори, індуктивність, обмежувальний конденсатор, дві вихідні клеми та джерело постійної напруги.

Микроэлектронное устройство для определения толщины эпитаксиальных слоев в полупроводниках содержит источник света и эпитаксиальную структуру, которые последовательно соединены между собой. Дополнительно в него введен блок обработки и индикации сигнала, микроэлектронный частотный преобразователь, который содержит фоторезистор, резистор, первый и второй полевые транзисторы, индуктивность, ограничительный конденсатор, две выходные клеммы и источник постоянного напряжения.

A microelectronic device for the determination of thickness of epitaxial layers in semiconductors includes a light source and epitaxial structure that are connected to each other in sequence. Additionally it comprises a unit for signal processing and indication, microelectronic frequency converter that includes a photoresistor, resistor, first and second field transistors, inductance, restriction capacitor, two output terminals and a DC power source.