Радіовимірювальний перетворювач концентрації газу на основі метал-діелектрик-напівпровідник - біполярної транзисторної структури з від'ємним опором

Abstract

В магістерській кваліфікаційній роботі проводиться дослідження радіовимірювального перетворювача концентрації газу на основі метал-діелектрик-напівпровідник - біполярної транзисторної структури з від'ємним опором. Також представлений аналіз сучасного стану перетворювачів концентрації газу які побудовані на основі різних методів. У магістерській кваліфікаційній роботі в науковому плані розроблені математичні моделі радіовимірювального перетворювача концентрації газу на основі метал-діелектрик-напівпровідник - біполярної транзисторної структури з від'ємним опором на основі нелінійних еквівалентних схем, що дозволило отримати вольт-амперні характеристики, функції перетворення і рівняння чутливості розроблених пристроїв. Удосконалено математичну модель перетворювача концентрації газу на основі метал-діелектрик-напівпровідник - біполярної транзисторної структури з від'ємним опором з використанням біполярного та польового транзисторів з чутливими елементами на основі газочутливих резистивних елементів, на відміну від існуючих, враховано залежність параметрів нелінійних еквівалентних схем приладів від зміни концентрації в потоці газу, що дало змогу отримати функції перетворення та рівняння чутливості від концентрації газу.In the master's qualification work the research of the radio-measuring converter of gas concentration on the basis of a metal-insulator-semiconductor - a bipolar transistor structure with negative resistance is conducted. Also presented is an analysis of the current state of gas concentration converters which are based on different methods. In the master's qualification work in the scientific plan mathematical models of the radio-measuring gas concentration converter on the basis of a metal-insulator-semiconductor-bipolar transistor structure with negative impedance on the basis of non-linear equivalent circuits have been developed, which allowed to obtain the volt-ampere characteristics, transformation functions and sensitivity equations developed devices. The mathematical model of the gas concentration converter based on the metal-dielectric-semiconductor-bipolar transistor structure with negative impedance using bipolar and field-effect transistors with sensitive elements on the basis of gas-sensitive resistive elements has been improved, in contrast to the existing ones, the dependence of the parameters of non-linear equivalent circuits of devices from changes in the concentration in the gas stream, which enabled to obtain transformation functions and the equation of sensitivity from the gas concentration.