Оптичний актинометричний метод контролю плазмохімічних процесів в мікроелектронній технології

Abstract

На прикладі плазмохімічного травлення стуктур р-Si/SiO2/Si проаналізовані можливості і перспективи використання оптичного актиметричного методу контролю плазмохімічного травлення при виготовленні приладів сучасної мікро- та наноелектроніки. Наведені результати експериментальних досліджень процесу травлення мікроструктур. Показано, що застосування в процесі моніторингу процесу плазмового травлення фазового детектування сигналу дозволяє значно зменшити шумову його складову і дає практичну можливість використовувати оптичний актинометричний метод для контролю процесу травлення малих площин

На примере плазмохимического травления структур р-Si / SiO2 / Si проанализированы возможности и перспективы использования оптического актиметричного метода контроля плазмохимического травления при изготовлении приборов современной микро- и наноэлектроники. Приведенные результаты экспериментальных исследований процесса пищеварения микроструктур. Показано, что применение в процессе мониторинга процесса плазменного травления фазового детектирования сигнала позволяет значительно уменьшить шумовую его составляющую и дает практическую возможность использовать оптический актинометрические метод для контроля процесса пищеварения малых плоскостей.

For example, the plasma chemical etching of structures р-Si/SiO2/Si analyzed the possibilities and prospects of optical actinometric plasma chemical etching method of control in the manufacture of devices of modern micro- and nanoelectronics. The experimental results digestion microstructures. It is shown that the application of the process monitoring of plasma etching phase detection signal can significantly reduce the noise component and makes it practical to use optical actinometric method to control the digestive process of small planes.