Напівпровідниковий гігрометричний сенсор

Abstract

Напівпровідниковий гігрометричний сенсор, який містить з'єднані між собою витоками два двозатворних вологочутливих польових транзистора, на затворі одного з них створено гребінчасту структуру вологочутливого матеріалу, чотири резистори, ємність, індуктивність та джерело постійної напруги, перший полюс якого приєднано до ємності, а через перший резистор підключений до першого затвора першого двозатворного вологочутливого польового транзистора, другий полюс джерела постійної напруги підключений до другого вивода ємності, другого вивода другого резистора, витоків першого двозатворного вологочутливого польового транзистора та другого двозатворного вологочутливого польового транзистора, а через четвертий резистор джерело постійної напруги з'єднане з другим затвором другого двозатворного вологочутливого польового транзистора та другого вивода третього резистора, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, п'ятий резистор та другу ємність, що утворюють активну індуктивність, причому перший вивід п'ятого резистора та колектор біполярного транзистора підключені до першого виводу джерела постійної напруги, емітер біполярного транзистора сполучений з першим виводом третього резистора, другий вивід п'ятого резистора через другу ємність з'єднаний з стоком першого двозатворного вологочутливого польового транзистора.